拉萨智能温控多温区1200度垂直吊烧真空管式炉

高温度：1200℃（长期工作 ≤1150℃）

温控区：双温区 / 三温区（独立 PID 控温，可设梯度温场）

控温精度：±1℃，温场均匀性 ±2℃

加热元件：掺钼铁铬铝电阻丝（1200℃级，抗氧化长寿命）

炉管：高纯石英管 / 刚玉管（Φ50–100mm）

炉膛：氧化铝多晶纤维（轻质、低热容、节能）

真空度：机械泵 ≤10Pa；选配分子泵可达 10⁻³Pa

气氛：N₂、Ar、H₂混合（微正压保护，防倒灌）

控温系统：7 寸触摸屏 + 30–50 段 PID 程序控温

炉体：双层风冷 / 水冷，外壳温度＜60℃

结构：垂直立式、顶部吊烧、底部快开法兰

顶部悬挂样品，垂直上下料，重力自然垂直、无变形、无接触污染

底部快开法兰，可快速淬火、快速冷却、快速取样

适合长棒料、单晶生长、悬浮烧结、CVD 垂直沉积

双温区 / 三温区独立控温，可自由设定温度梯度（如上下温差 0–200℃）

支持梯度退火、定向凝固、梯度掺杂、CVD 沿程温度控制

每个温区独立 PID、独立超温保护

预抽真空 → 惰性气体置换，氧含量＜10ppm

微正压运行（0.02–0.05MPa），防空气倒灌、防样品氧化

多路质量流量计，气体配比、流量精准可控

30–50 段程序：升温→保温→降温→梯度→循环

自整定 PID、超温报警、断偶保护、漏电保护、断电记忆

数据记录、曲线导出、远程监控（选配）

晶体生长：蓝宝石、氧化物晶体、单晶生长（垂直温度梯度）

CVD 气相沉积：碳纳米管、石墨烯、纳米线、薄膜制备

粉末烧结：陶瓷、稀土、锂电材料、高洁净无压烧结

金属 / 合金退火：钛合金、高温合金、高纯金属（防氧化）

热处理：氧化、还原、氮化、碳化、退火、固相反应

特种材料：碳纤维、超导材料、催化剂、电子陶瓷

垂直吊烧：样品无接触、无变形、无底部污染；适合长样品、晶体生长、淬火

温场更稳：垂直自然对流弱、温场均匀性更好

气氛更优：气体沿程分布均匀、无局部沉积

操作更安全：高温区远离操作面、防烫伤、防泄漏

温区：双温区（通用）/ 三温区（梯度精密工艺）

炉管：石英管（透明、观察、CVD）；刚玉管（耐腐、高温、粉末）

真空：低真空（机械泵） / 高真空（分子泵）

气氛：惰性（N₂/Ar） / 还原（H₂混合）

尺寸：炉管直径 Φ50/60/80/100mm，加热区长度 300–600mm

炉膛 / 电阻丝寿命：规范使用 3–5 年

炉管寿命：石英管 1–2 年；刚玉管 3–5 年（防急冷急热）

维护：慢升降温、高温不开门、真空防泄漏、定期换密封圈

工作温度界定：设备的高极限温度可达1200℃，但为了保证加热元件和石英/刚玉炉管的长期稳定运行，通常建议连续工作温度控制在 ≤1100℃。

加热元件配置：在1200度工况下，普遍采用耐高温的 铁铬铝合金电阻丝（如掺钼Fe-Cr-Al）。它们均匀分布在炉膛内，配合PID调压输出，确保炉内热量传递均匀高效。

精准控温：标配微电脑PID智能温控仪表（常见为彩色触摸屏），配合K型或N型热电偶，控温精度极高，可达 ±1℃，有效避免温度过冲。

多温区梯度控温：设备沿轴向分为两个或三个独立的加热温区（如双温区、三温区）。每个温区都有独立的加热元件和控制系统，可以设置不同的温度，从而在炉管内构建出精准的梯度温度场（例如中间高温烧结，两端低温冷却）。

多段工艺编程：具备强大的编程功能，支持30至50段的升降温程序曲线编辑。用户可以根据复杂的实验需求（如排胶、阶梯升温、恒温反应、程序降温等）预设全自动运行工艺，实现无人值守。

数据管理：支持历史温度数据的实时记录与存储，可通过预留的RS485通讯接口连接计算机，方便后续的实验复盘与工艺优化。

垂直开启式设计：炉体采用立式结构，上盖可垂直开启。上法兰内部通常焊有不锈钢挂钩，专门用于悬挂样品进行吊烧。这种设计不仅方便装取长条形样品，还能在需要骤冷时迅速将样品提出炉膛，实现快速淬火。

高真空密封：炉管两端配备不锈钢真空密封法兰（常采用KF快速法兰或锥形接头），配合机械真空泵，极限真空度通常可达 10⁻²Torr (约1Pa) 级别；若选配分子泵机组，真空度可进一步提升至 10⁻⁵ Torr 级别。

气氛兼容：除了抽真空，法兰上还预留有进气口和出气口，可通入氮气、氩气等保护气体，满足真空气氛两用需求。

高效节能内胆：炉膛普遍采用高纯氧化铝多晶陶瓷纤维真空吸附整体成型，表面涂有高温氧化铝涂层。这种材质蓄热量小、重量轻，保温性能，且抗热震性强（频繁升降温不易掉粉、开裂）。

安全双层壳体：采用内外双层钢结构设计，中间配有强制风冷系统。即使在1200℃高温工作时，外壳表面温度也能严格控制在 <60℃，防止操作人员烫伤。