电子半导体检测，温度交变耐久试验

电子半导体检测，温度交变耐久试验

封装测试：是在封装完成后的测试。根据具体情况，这个测试内容可以与生产测试相似，或者比生产测试更全面一些，甚至可以在特定的应用系统中测试。封装测试重要的目标就是避免将有缺陷的器件放入系统之中。晶圆测试又称前道测试、 “circuitporbing”（即cp测试）、“wafer porbing”或者“die sort”。晶圆测试大致分为两个步骤：①单晶硅棒经标准制程制作的晶圆，在芯片之间的划片道上会有预设的测试结构图，在首层金属刻蚀完成后，对测试结构图进行晶圆可靠性参数测试（wat）来监控晶圆制作工艺是否稳定，对不合格的芯片进行墨点标记，得到芯片和微电子测试结构的统计量；②晶圆制作完成后，针对制作工艺合格的晶圆再进 行cp测试（circuitprobing），通过完成晶圆上芯片的电参数测试，反馈芯片设计 环节的信息。完成晶圆测试后，合格产品才会进入切片和封装步骤。