C10300SE-CU无氧铜

一、牌号定位与对标

C10300 SE‑CU 是美标特种工程级无氧铜，SE 代表 Special Engineering（工程专用品级），无磷冶炼 OF 系无氧铜，不含脱氧磷，区别 C10300‑OFXLP 低磷无氧铜、ETP 磷脱氧铜；纯度梯队：C10100 OFHC（TU0/YU0/CW004A 超高纯）＞C10300 SE‑CU ＞C10300 OFC 音频无氧铜＞C10700‑OFS 冲压无氧铜＞C10200 OF 通用无氧铜＞C10300‑OFXLP 低磷无氧铜＞所有磷脱氧韧铜＞T3 三号铜国内对标定制高端 TU1 无氧铜，无 Sn、Fe、Ni、Ti、Cr、Zr 合金强化相，无弹性、不耐磨，仅用于精密导电、真空、高温电子基材，不能制作弹性弹片、滑动轴承衬套。

二、化学成分（ASTM 标准质量分数）

Cu+Ag ≥99.99%氧含量 O ≤0.0012%，全程无磷添加，无磷杂质干扰；Bi、Pb、Fe、S、As、Sb 等有害杂质严控至极低限值，铸坯内部无气孔、疏松、微夹杂；核心特征：纯净无磷晶格，高温氢气、真空钎焊、回流焊全程无氢脆风险，镀层结合力远优于低磷、磷脱氧铜。

三、核心性能参数

1. 力学性能（O 软态，工程件标准供货）

抗拉 220～270MPa，断后延伸率≥40%，塑性，可超薄轧制、深拉伸、多道次冲压、精密折弯，成型无暗裂、撕裂；仅冷轧调整硬度，无弹性回弹，受力发生塑性变形；软态 HV 73～93，耐磨性能差，无法承受往复滑动摩擦。

2. 导电、导热、耐热

导电率：101.2～103% IACS，高导无氧铜区间；热导率 393～399W/(m・K)，散热均匀稳定；软化温度≈207℃，中低温长期工况尺寸稳定。工程专属优势：晶粒均匀细化，冲切边缘光洁无毛刺；高温封装无裂纹；高频信号传输衰减小，气密冲压件氦检漏率低。

3. 物理特性

密度 8.9g/cm³，无磁性；优势：无磷元素干扰，镀金、镀银、镀镍镀层致密无针孔，盐雾、湿热老化不易起皮变色；真空、氢气高温制程安全无氢脆；短板：无磷钝化保护膜，潮湿环境半成品易氧化发黑，库存需钝化或电镀防护。

四、核心优势（适配 SE‑CU 工程应用）

1. 高端真空与半导体通用基材无氢脆特性适配芯片封装腔体、真空馈通电极、蒸发源基座，回流焊、氢气烧结不会产生内部微裂纹，良品率高于磷脱氧铜。

2. 高频射频、精密屏蔽件性能优异晶格纯净，高频损耗低，适合 5G 微型屏蔽壳体、雷达小型导电基座、射频超薄铜箔冲压件。

3. 深冲精密成型能力强内部缺陷极少，可加工复杂异形腔体、多层拉伸散热底座、超薄电子引线，大批量高速冲压不易开裂。

4. 电镀可靠性高，车载精密电子优选无微量磷杂质破坏镀层结合层，贵金属镀层长期高低温循环不脱落，满足车载、工控严苛可靠性标准。

5. 性能成本平衡性能接近 OFHC，但采购价格更低；对比普通 C10200 OF 纯净度、真空、电镀性能全面提升，中端高端精密工程件性价比选材。

五、材料局限

1. 无弹性，禁止制作开关、快充、射频弹性弹片，受力无回弹，反复形变失效。

2. 耐磨极差，不可用作轴套、滑动衬垫、各类摩擦耐磨零件，表面易刮擦磨损。

3. 抗氧化能力弱于 OFXLP 低磷无氧铜、ETP 磷脱氧铜，半成品存放易氧化变色，需增加防锈防护工序。

4. 长期 207℃持续高温环境易软化变形，不适用于发动机舱长期高温弹性元器件。

5. 超高真空、毫米波航天器件性能不及 C10100 OFHC，极限工况优先 OFHC。

六、典型应用场景

1. 半导体、真空设备：中高端真空腔体、芯片封装冲压坯料、真空水冷电极、氢气烧结载具

2. 5G 通讯射频构件：微型射频屏蔽罩、高频天线导电底座、超薄屏蔽铜箔冲压件

3. 车载精密电子：车载雷达导电壳体、电控散热冲压基板、传感器高纯引线基材

4. 新能源高端导电散热件：IGBT 水冷均热板、储能模组精密汇流焊片、光伏高纯汇流薄带

5. 精密仪器、音频高端线材、多层深冲紫铜结构件

七、常规供货形态

精密铜带、超薄铜箔、铜板、铜线；标准 O 软态，配套 1/2H 半硬冲压态；支持镜面脱脂、真空防潮分条，适配高速冲压、真空器件机加工、线材拉制产线。