KFC‑O是日本神户制钢开发的Cu‑Fe‑P 系析出强化型高导铜合金，O 代表退火软态（Annealed），对应 UNS C19210、国标TFe0.1，俗称 “铁青铜”，为半导体分立器件 / 功率 IC 引线框架的经典基材，主打高导 + 耐热 + 软态易成型 + 低成本。
牌号：KFC‑O（C19210）；同系列：KFC‑1/4H、KFC‑1/2H、KFC‑H（K80）。
成分：
Cu：余量（≥99.6%）
Fe：0.05–0.15%（纳米 Fe₂P 析出强化）
P：0.025–0.04%（脱氧、细晶、助焊）
杂质：Pb≤0.02%，RoHS/ELV 合规。
导电率：85–90%IACS（≈19–18μΩ·cm）
热导率：350–364 W/(m·K)（散热优异，功率器件温升低）
密度：8.9 g/cm³；热膨胀系数：17.5×10⁻⁶/K
抗拉强度：275–345 MPa
屈服强度：≈200 MPa
伸长率：≥30%（软态高延展，深冲 / 复杂成型不开裂）
硬度：HV 70–90
弹性模量：125 GPa
耐热抗软化：软化温度≥450℃，焊接 / 封装高温不软、不变形
精密冲压性：超细晶粒，0.1–0.2mm 超薄框架冲压无毛刺、尺寸稳
折弯性：小 R/t≈0.5，90°/180° 折弯无裂纹
镀层 / 焊接：易镀锡 / 镍 / 金，浸润性好、焊点牢固、封装良率高
耐蚀 / 低松弛：耐盐雾，150℃×1000h 应力松弛率 < 10%
软态高延展，超薄框架易成型
30%+ 伸长率 + 低硬度，0.15mm 超薄多引脚框架连续冲压良率 > 99%，复杂引脚 / 窄间距成型无开裂。
高导高热导，功率器件散热优
88% IACS 导电 + 360W/m・K 导热，MOSFET/IGBT/ 二极管框架大电流温升低、热阻小、可靠性高。
耐热抗变形，封装高温稳定
450℃软化，260℃焊锡 / 350℃封装高温下引脚不塌、不变形、尺寸稳定。
日系精工 + 成本适中，量产
神钢原厂品质，批次一致性好、表面洁净（Ra≤0.3μm）；价格低于 C7025，中高端引线框架性价比。
半导体分立器件：MOSFET、IGBT、二极管、三极管、可控硅框架
功率 IC：电源管理 IC、驱动 IC、稳压 IC 引线框架
LED：大功率 LED 支架、散热基板
高端电子：精密端子、连接器、继电器弹片基材
KFC‑O（C19210，O 态）：导电 85–90% IACS、强度 275–345MPa、伸长率≥30%、软化≥450℃、价中；软态易成型功率框架
KFC‑H（K80，C19210，H 态）：导电 88–92% IACS、强度 450–550MPa、伸长率≥8%、软化≥470℃、价中；中高端端子 / 弹片
C19400（CuFeP）：导电 60–70% IACS、强度 450–550MPa、软化≥350℃、价低；低端框架 / 端子
C7025（CuNiSi）：导电 45–55% IACS、强度 600–700MPa、软化≥500℃、价高；高密度 / 细引脚框架
C1020（无氧铜）：导电 98–101% IACS、强度 300–360MPa、软化≥400℃、价高；超高端大电流框架
状态选择：
O（软态）：引线框架，高延展、易冲压、复杂成型优。
1/4H（轻硬）：强度 320–400MPa、伸长率≥20%，适合中等复杂度引脚。
1/2H（中硬）：强度 400–480MPa、伸长率≥12%，适合窄间距 / 高刚性框架。
尺寸定制：带材厚度0.1–0.5mm、宽度10–200mm，公差 **±0.005mm**；精切、分条、镜面抛光。
表面处理：镀锡（1–3μm）（易焊、低成本）、镀镍（0.5–1μm）+ 镀金（0.05μm）（高频 / 高可靠）。
KFC‑O 是引线框架的 “软态高导耐热铁青铜”：
CuFeP+O 态：88% IACS 高导、30%+ 高延展、450℃耐热、精密冲压稳、易镀易焊；
超薄易成型 + 功率散热优 + 封装高温稳 + ：功率半导体 / 分立器件框架标配；
广泛用于MOSFET、IGBT、二极管、三极管、LED 支架。
高导铜,铬锆铜,铜镍硅合金,无氧铜,钛铜,磷青铜,铁青铜,锡青铜,铝青铜,高力黄铜,氧化铝铜,钨铜,铍铜,碲铜,白铜,钨钢,无磁不锈钢,镁合金,铝合金,镍基合金,高温合金
一般经营项目是：高性能有色金属及合金材料销售；金属材料销售；有色金属合金销售；金属制品销售；五金产品零售；汽车零配件零售；电力电子元器件销售；电线、电缆经营；国内贸易代理。（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动），许可经营项目是：无
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