KLF-5-EH( KLF5) 特硬铜材 高端半导体精密冲压铜料

Cu：余量（≥97.5%）

Sn：1.8–2.2：低锡强化，高强高弹 + 耐蚀

Fe：0.05–0.15：细化晶粒、析出强化 + 耐热 + 抗疲劳

P：0.02–0.04：脱氧净化、提升高温稳定 + 耐蚀

杂质（Pb/Zn/Ni 等）：≤0.1：严控杂质、高精一致性、表面洁净

RoHS/ELV 合规、无铍环保、日系高精控。

抗拉强度：600–700 MPa（EH 特硬，比普通磷青铜高 15%+）

屈服强度（Rp0.2）：≥550 MPa，抗变形、引线框架引脚稳定不歪扭

硬度：HV 180–210（特硬耐磨、高速冲压不伤模、无毛刺）

延伸率（A50）：≥5%，低韧高弹、微型折弯回弹极小、尺寸精准

弹性模量：≈125 GPa，高弹抗疲劳、插拔稳定、长期弹力不衰减

折弯：90° 折弯 R/T≤0.3，超薄带（0.08–0.2mm）微型引脚一次成型、良率高。

导电率：45–50% IACS（≈26–29 MS/m），比普通磷青铜高 40–50%、损耗低

热导率：≈220 W/(m·K)，散热优、功率器件温升小、热稳定好

电阻率：≤3.5 μΩ·cm，中低阻、密集引脚大电流导通稳定

软化温度：≥350℃，比磷青铜高 100℃+，耐受回流焊 / 封装焊接高温、无时效翘曲变形。

冲压性：晶粒超细、表面光洁（Ra≤0.1μm）、无起皮，高速连续冲压良率提升 30%+，适配 SOT/QFN/DFN 等微型封装

焊镀性：易镀镍 / 镀锡 / 镀金、焊接附着力强、浸润性好，匹配半导体封装标准制程

应力松弛：150℃/1000h 松弛率＜5%，长期高温弹力稳定、接触电阻漂移极小

耐蚀：抗工业大气、潮湿、盐雾，抗氧化变色、耐应力腐蚀优于磷青铜。

高端半导体：SOT-23/SOT-363/QFN/DFN 引线框架、功率器件（MOSFET/IGBT）连接基材、光电子元件导电载体

新能源汽车：车规级精密端子、高压连接器弹片、BMS 信号端子、电机控制器弹性元件

工业精密电子：高频连接器、高速信号端子、微型开关触点、仪器仪表精密导电结构件

消费电子：Type‑C 高端弹片、射频连接器端子、摄像头模组精密结构件。