EFTEC-3-H( EFTEC3 ) 硬态半导体元件 低电阻铜带

Cu：余量（≥99.7%）

Sn：0.10–0.20（典型 0.15）：微量锡固溶强化，提升强度与软化温度、几乎不降导电

杂质（Fe/P/Zn 等）：≤0.1：严控杂质、低电阻稳定、导热导电优

RoHS/ELV 合规、无铍环保、高纯度。

导电率：85–90% IACS（≈48–51 MS/m），接近纯铜、损耗极低

热导率：≈340 W/(m·K)，散热极优、温升低，适配半导体密集发热

电阻率：≤2.0 μΩ·cm，低电阻稳定、信号 / 电流传输高效

热膨胀系数：17.3×10⁻⁶/K，与半导体芯片 / 陶瓷匹配度高、热应力小。

抗拉强度：330–410 MPa（硬态区间、半导体承载适配）古河電気工業株式会社

屈服强度（Rp0.2）：≥310 MPa，抗变形、端子接触力稳定

硬度：HV 135–165，硬态耐磨、冲压不伤模、表面光洁

延伸率（A50）：≥8%，强韧平衡、精密折弯不开裂

弹性模量：≈118 GPa，弹性适中、抗疲劳、端子反复插拔稳定

折弯：90° 折弯 R/T≤0.5，引线框架微型结构一次成型、良率高。

软化温度：≥280℃，耐受回流焊 / 波峰焊高温不软化、尺寸稳定

应力松弛：125℃/1000h 松弛率＜5%，长期服役弹力不衰、接触电阻漂移小

耐蚀：抗工业大气、潮湿、盐雾，抗氧化变色、半导体封装耐环境优

焊镀性：镀镍 / 镀锡 / 镀金附着力极强，焊接 / 钎焊性能优，适配半导体精密封装与清洗制程。

半导体元件：分立器件（二极管 / 三极管）引线框架、DIP/SMD 封装框架、功率半导体端子

电子连接：低电阻连接器、信号端子、继电器触点、高频导电弹片

汽车电子：车载半导体引线框架、控制单元低阻端子、耐振动导电构件

替代材料：替代纯铜（提强度 / 稳尺寸）、普通磷青铜（提导电 / 降电阻）、C11000（提硬态耐磨）。