boway19210引线框架铜铁合金

Cu：余量，≥99.7%（高导基底）

Fe：0.05–0.15%（纳米 Fe₂P 析出强化，提强度 / 耐热）

P：0.025–0.04%（脱氧、细化晶粒、改善焊性 / 耐蚀）

杂质总和：≤0.05%；RoHS/REACH 合规，无铅环保

对标：美标 C19210、国标 TFe0.1、旧称 KFC、欧标 CuFe0.1P

导电率：85–90% IACS（电阻率 1.9–2.0μΩ・cm），大电流低发热、信号衰减小

导热系数：320–350 W/(m·K)，散热快、芯片结温低、热循环可靠

密度：8.9 g/cm³；熔点：1080℃；软化温度≥400℃（高温焊 / 回流不软化）

线胀系数：17.0×10⁻⁶/℃（20–300℃），与硅芯片匹配、热循环不开裂

R420（标准态，引线框架）：抗拉 420–480MPa，屈服 350–420MPa，延伸≥10%，HV130–160；强韧平衡、高速冲压良率高、引脚不变形

R480（高硬态）：抗拉 480–540MPa，屈服 420–480MPa，延伸≥8%，HV150–180；超薄 / 窄引脚专用、抗弯折、尺寸稳定

✅ 高导 + 中强平衡：85%+ IACS + 420MPa 级强度，C19400（Fe2.4%）导电仅 60% IACS，C7025 导电更低

✅ 抗高温软化：400℃不软化，适配 260℃回流焊、300℃键合，强度稳定

✅ 精密冲压 / 蚀刻优：晶粒均匀、无残余应力，可做 0.1mm 超薄、0.2mm 窄引脚，蚀刻精度 ±0.01mm

✅ 电镀 / 焊接：表面洁净、镀层附着力强（镀镍 / 镀金 / 镀锡）；软钎焊 / 激光焊良率≥99.8%，键合拉力稳定

✅ 耐蚀 / 低应力腐蚀：耐大气 / 湿气 / 弱酸碱，长期封装不氧化、不开裂、可靠性高

半导体分立器件：TO-220、TO-247、SOT-23、SOT-89、DO-41 引线框架

集成电路 IC 封装：QFN、DFN、SOP、SOIC、TSSOP、BGA 超薄微型框架

功率器件模块：MOSFET、IGBT、二极管、晶闸管 高导散热框架

车规级电子：MCU、电源管理、传感器 耐高温 / 高可靠框架

精密连接器 / 端子：微型化连接器、电源端子、继电器弹片（高导 + 抗疲劳）

形态：带材（0.1–0.5mm 厚，公差 ±0.005mm；20–300mm 宽）、卷料

状态：R420（标准）、R480（高硬）（引线框架常用 R420）

表面：光亮、脱脂、无氧化层；可镀镍 / 镀金 / 镀锡（适配键合 / 焊接）

boway19210（C19210）：引线框架，高导 85%+ IACS、中强 420MPa、400℃抗软化、精密冲压 / 蚀刻优

C19400（CuFe2.4P）：强度 500MPa、导电 60% IACS、耐热 350℃，中低端功率框架专用，散热差

C7025（CuNiSi）：强度 600MPa、导电 45% IACS、耐热 450℃，高端但价格高、导电差

C11000（纯铜）：导电 IACS、强度 220MPa、耐热 150℃，仅低端框架、易变形、不耐高温