TU3半导体器件纯铜

Cu+Ag：≥99.95%（高纯基体）

氧 O：≤0.001%（10ppm）（核心：无氧、防氢脆、低放气）

杂质总和：≤0.05%；单杂质：Fe≤0.004、Pb≤0.003、Bi≤0.001、S≤0.004、P≤0.002

对标：美标 C10200、欧标 OF-Cu、日标 C1020

导电率：99–101% IACS（电阻率 1.70–1.72μΩ・cm），接近理论纯铜

导热系数：385–395 W/(m·K)，极速散热，半导体结温更低

密度：8.94 g/cm³；熔点：1083℃；线胀系数：17.7×10⁻⁶/℃

真空特性：出气率≤3×10⁻⁹ Pa・m³/s，氦检漏密封优异，高温不放气、不污染芯片

抗拉强度：195–240 MPa（软态，易折弯 / 冲压）

延伸率：≥30%（塑性好，薄壁 / 异形引脚成型不开裂）

硬度：HV≤70（软态，封装后易整形）

无氢脆：真空 / 氢气保护焊接不裂纹、无气泡，焊缝致密气密

低放气：真空环境长期使用，不析出气体，保护半导体芯片 / 镀膜

高钎焊性：可伐 / 陶瓷 / 金属钎焊润湿性好，封装气密性高、漏率低

高纯无杂质：杂质极低，不产生电迁移、不污染 P/N 结，器件寿命长

低温稳定：-196℃不脆化，适配低温半导体 / 超导器件

半导体封装：功率器件散热底座、IGBT 基板、引线框架、芯片载板

电真空器件：真空电子管、磁控管、真空腔体、密封法兰、微波器件

功率电子：大功率铜排、半导体汇流排、新能源模块导电端子

精密焊接件：真空钎焊组件、陶瓷 - 金属封接件、薄壁真空管道

高频 / 射频：高频腔体、射频屏蔽件、低损耗导电结构

形态：板（0.5–20mm）、带（0.02–2mm）、棒（φ6–80mm）、管、锻件、定制封装坯料

状态：软态（M/060，封装）、半硬态（Y2/H02）、硬态（Y/H04）

公差：板 ±0.05mm、带 ±0.01mm、棒 ±0.05mm，适配精密蚀刻 / 冲压

表面：光亮、酸洗、抛光、镀镍 / 镀金（提升焊接 / 封装可靠性）

TU3（C10200）：99% IACS、≤10ppm O、低放气、高钎焊性，半导体量产

TU1（C10100）：101% IACS、≤5ppm O，性能更高但价格贵，高端真空专用

TU2：99% IACS、≤20ppm O，放气略高，中低端真空可用

T2（紫铜）：99%IACS、≤150ppm O，易氢脆、放气高，不可用于真空 / 半导体

铬锆铜：80% IACS、高硬度，焊接 / 封接性差，不适合半导体封装