KFC3精密引线框架铜铁合金
- 报价
- ¥85.00元每千克
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- 微信号
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- 型号
- KFC3铜合金
- 规格
- 0.08-1.5mm铜带
- 用途
- 新能源汽车、连接器、弹簧、引线框架
KFC3 为日系高端 Cu-Fe-P 铜铁磷合金,对标美标 C19400 升级改良款,参照 JIS H3300 半导体引线框架专用材料规范,是 TO、SOP、QFP、大功率 LED 支架主力基材,属于高铁析出强化体系,在基础 KFC 基础上优化晶粒纯净度、高温抗蠕变与电镀结合力,面向车载功率芯片、新能源功率器件高端封装市场。定位:兼顾高导热导电、高硬度、450℃级抗软化、极低翘曲、高速冲压成型,弥补普通 KFC、C19400 精细引脚冲压易裂、高温回流焊变形量大的短板,主打精密超细引脚、大散热面积功率框架。
Cu 基体余量Fe:0.20~0.32P:0.020~0.050严控杂质:Fe 磁性杂质精准管控,Pb≤0.005、Zn、Sn、Si 微量极低,无铅 RoHS、ELV 车载环保合规,无铬、锆、铍有害合金元素。元素作用解析
高含量 Fe 与 P 生成均匀弥散 Fe-P 纳米析出相,强力钉扎铜晶界,大幅提升常温硬度、高温抗蠕变、抗应力松弛,260℃回流焊多次循环引脚无翘曲、无夹持力流失;
微量磷净化铸轧组织,减少内部微小夹杂,提升超薄带折弯塑性,同时强化预镀镍、镀银镀层附着力,金线键合拉力稳定达标。
导电率:58~66% IACS,远高于所有锡磷青铜,功率芯片工作热量快速导出,降低芯片结温,提升器件使用寿命;
硬度强度分档1/2H 半硬:抗拉 580~660MPa,HV160~180,适配 0.1mm 以下超细间距多折弯精密引脚;H 硬态:抗拉 700~800MPa,HV190~225,散热型大功率框架、厚料 LED 支架专用,支撑大面积散热底座不变形;
耐热核心指标:再结晶软化温度约 460℃,优于常规 KFC/C19400,多次峰值 260℃回流焊冷热循环,引脚平整度偏差极小,杜绝封装虚焊、偏移不良;
超薄冲压成型:厚度 0.07~0.4mm,小折弯 R 角更小,0.12mm 超细间距引脚高速连续冲压无毛刺、无断裂,高端封装良率显著提升;
电镀与键合性能:板面无氧化夹杂,预镀镍层致密无针孔,镀银后金线、铝线键合不易脱层,适配全自动高速封装产线;
耐车载腐蚀:中性盐雾耐受优于普通铜铁磷,车载机舱温变、水汽环境不易氧化发黑;
长期使用温度:-40℃~145℃,短时峰值 260℃回流焊、固晶工序尺寸稳定无蠕变。
升级高导热散热,新能源功率器件控温更稳定导电导热性能远超磷青铜,MOSFET、IGBT、车载电源管理芯片大电流工作下热量快速传导至散热引脚,降低芯片热堆积,适配新能源车、光伏逆变器功率模块封装。
超高高温抗蠕变,超细引脚回流焊不翘曲改良晶粒净化工艺,Fe-P 析出相分布更均匀,常规 KFC 高温易出现引脚弯曲,KFC3 经过多次 SMT 回流焊后引脚平整度保持优良,大幅减少封装校正工序与报废成本。
超薄精密冲压适配超细间距高端 IC塑性与强度平衡优化,0.08mm 超薄窄带可冲 0.1mm 超细间距 QFP、SSOP 精细引脚,冲压裂纹、缺口不良率远低于普通 C19400、基础 KFC,适合高端消费电子、车载精密芯片量产。
镀层结合力,金线键合封装良率高基材内部杂质含量严格管控,电镀镍 / 银层附着牢固,塑封、高温键合过程镀层不起皮、不脱落,满足车载芯片高可靠性封装标准。
低磁高纯基体,射频、雷达功率芯片无信号干扰铁磁性杂质下限管控,射频功率放大芯片、车载毫米波雷达 IC 框架不会产生电磁杂波,保障射频器件电气性能稳定。
KFC3 精密超薄引线框架专用铜带、精密分条窄带、覆膜防氧化料;常备 1/2H、H 两种标准硬度,厚度 0.07–0.4mm,支持精切去毛刺、预镀镍预处理,半导体封装、LED 支架冲压厂。
新能源车 IGBT 辅助框架、车载 MOS 管 TO-220/TO-252 框架、车灯驱动 IC、电源管理 QFP 精密超细引脚框架。
光伏整流二极管、储能开关功率 MOS、逆变器驱动 IC 散热框架、大功率 COB LED 铜支架。
笔记本、平板电源 IC、快充管理芯片 SSOP/QFP 超细引脚框架、摄像传感器封装载片。
工业变频器功率三极管、继电器驱动芯片、开关电源整流桥散热引线框架。
基站射频功率管、车载雷达放大 IC、无线模块功率器件精密导电支架。



铜合金、铝青铜 、锡青铜 、高力黄铜、钨铜 ,氧化铝铜、无磁不锈钢、铝合金、镁合金、模具钢、高温合金、钨钢
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