CuFe2P引线框架铁磷铜

析出强化型铜铁磷合金，行业代号 K65，功率器件、分立元件、IC 引线框架用量大基材，兼顾中高导电、高强度、耐高温抗蠕变，适配 SMT 回流焊量产制程。

一、牌号对标

国标：QFe2.5；美标 UNS：C19400（ASTM B194）；欧标 EN：CW107C；德标：2.1310/CuFe2P；日标 C1940、TAMAC194。

化学成分 (wt%)

Cu 余量≥97%，Fe：2.1～2.6%（弥散 Fe-P 析出相强化），P：0.015～0.15%（脱氧细化晶粒），Zn≤0.2%、Pb≤0.03%，杂质总量≤0.3%，RoHS 环保合规。

二、核心理化参数（引线框架常用全硬 SH/ESH 态）

1. 导电率 60～70% IACS，远优于 C5191 磷青铜，芯片大电流导通发热低、导电损耗小，导热 290～320W/(m・K)，器件散热优良；

2. 抗拉 520～620MPa，HV155～180，屈服≥450MPa，框架引脚定型不易弯折变形，抗蠕变优异；

3. 软化温度≈400℃，耐受 SMT 峰值 260℃回流焊，高温封装后尺寸不变、引脚不翘曲，抗应力松弛优于普通磷铜；

4. 密度 8.91g/cm³，热膨胀系数 16.3×10⁻⁶/K，和硅芯片热胀匹配，封装减少开裂、气密性好；

5. 蚀刻、电镀性能突出，镀镍、镀锡镀层致密附着力强，适配引线框架半蚀刻精密加工。

三、引线框架选材五大优势

1. 高温制程稳定：回流焊无软化塌脚，TO-220、SOP、QFN 批量封装良品率高；

2. 冲压成型优良：0.08～1.2mm 超薄铜带高速冲裁少毛刺、不开裂，适配微型密脚框架；

3. 键合性能佳：铜线 / 金线键合牢靠，是功率 MOS、三极管支架主力用材；

4. 性价比突出：成本低于 C7025 铜镍硅，通用功率器件替代料；

5. 耐蚀抗氧化：潮湿车载、工控环境引脚不易发黑，长期使用接触电阻稳定。

四、细分应用

1. 半导体封装：TO247/TO220 功率管框架、SOP/DIP 集成电路引线架、LED 大功率支架、IGBT 贴片引脚；

2. 车载电子：汽车功率保险端子、电控连接器插片、车载 IC 封装骨架；

3. 电器元件：空开接线端子、继电器导电弹片、电源模块导电引脚。

五、同系材料横向对比

1. 对比 C19210 (K80/KFC，CuFe0.1P)：C19210 导电 85～90% IACS、强度偏低，侧重小信号超薄引线架；CuFe2P 强度提升 30%，主打大功率、厚料框架；

2. 对比 C7025 铜镍硅：C7025 导电 45% IACS、弹性更强，高端射频端子；CuFe2P 导电更高、成本更低，通用功率引线框架；

3. 对比 C5191 磷铜：导电、耐热、抗松弛全面优于磷铜，中高端框架批量替换磷青铜用料。