长治氧化铝炉膛箱式一体1700度实验真空气氛炉

高温度：1700℃（短时可达 1720℃）

长期工作温度：≤ 1650℃（推荐，延长寿命）

控温精度：±1℃（恒温段）

温场均匀性：±3～±5℃（1650℃）

升温速率：0–10℃/min可调；>1600℃≤2℃/min

加热元件：U 型 1800 级硅钼棒（MoSi₂），双侧 / 四面布置

测温元件：B 型双铂铑热电偶（0–1820℃），抗腐蚀、精度高

材质：1700 级高纯氧化铝多晶纤维（Al₂O₃≥99.5%），真空一体成型

特性：耐 1700℃、抗热震、不掉粉、无挥发、洁净无污染、节能 50%+

标准炉膛尺寸（W×D×H）：

3.4L：150×150×150 mm（小型）

12L：200×200×300 mm（常用）

36L：300×300×400 mm（大型）

炉体：双层不锈钢壳体 + 强制风冷，外壳温度 < 50℃

密封：法兰式水冷密封 + 氟橡胶 O 型圈，真空专用

真空系统（内置）：

标配：双级旋片泵，极限真空 ≤ 5×10⁻¹ Pa

选配：扩散泵 / 分子泵，极限真空 ≤ 10⁻³ Pa

气氛控制：

支持气体：N₂、Ar（惰性气氛，严禁 H₂）

控制：双路质量流量控制器（MFC），0–30L/min

工艺：抽真空 → 气体置换（3 次） → 微正压保护

压力范围：-0.1MPa（真空） ~ 0.3MPa（微正压）

操作：7 英寸高清触摸屏，中文界面

程序：50 段 PID 可编程，升温 / 保温 / 降温曲线，断点续跑

功能：超温报警、断偶保护、开门断电、真空联锁、过压泄压

数据：历史曲线、USB 导出、RS485 通讯、远程监控

先进陶瓷：氧化锆（YSZ）、氧化铝、氮化铝、透明陶瓷、SiC 陶瓷烧结

粉末冶金：硬质合金、钨钼、高熵合金、难熔金属真空热处理

电子半导体：SiC/GaN 晶圆退火、MLCC、LTCC、压电陶瓷无氧化烧结

新能源材料：固态电解质、超导材料、稀土荧光粉高温合成

特种材料：蓝宝石 / 石英退火、贵金属熔炼、晶体生长

烘炉：新炉必须分段烘干（200℃→600℃→1000℃→1650℃）。

气氛：先抽真空，再充气氛，维持微正压，防止空气倒灌。

降温：>800℃严禁开门，避免炉膛骤冷开裂。

硅钼棒：电阻老化 **>15%时需调压 / 更换 **。

1800型硅钼棒加热系统：为了在1700℃的高温下长期稳定运行，必须采用高品质的 1800型硅钼棒（MoSi₂） 作为发热元件。它在高温氧化气氛下表面会生成一层致密的二氧化硅保护膜，抗氧化性极强，寿命远超普通加热元件。通常会在炉膛两侧或四面均匀布置，以保障极高的热场均匀性。

氧化铝纤维炉膛：内胆普遍采用 1800级高纯氧化铝多晶纤维（Al₂O₃含量≥95%）整体真空吸附成型。这种材料不仅保温性能（大幅降低能耗），而且抗热震性强，在1700℃高温下不掉粉、无挥发物，能有效避免对精密实验样品的污染。

多级真空系统：基础款通常配备机械泵；高端机型则标配 “机械泵+分子泵”甚至扩散泵的三级抽气系统，能在短时间内将工作室真空度抽至10⁻³Pa 甚至 10⁻⁵Pa 级别，并具备极低的静态漏率（如＜1×10⁻⁹ Pa·m³/s）。

智能气氛控制：通过高精度的质量流量计（MFC）来独立调节惰性气体（如氮气、氩气）或还原性混合气体的流量。通常采用“预抽真空→充入保护气→再抽真空”的多段置换工艺，能将炉膛内残留氧含量降至极低水平（如1ppm以下），完美满足对氧敏感材料的烧结需求。

B型双铂铑热电偶：在1700℃的极限高温环境下，普通的K型或S型热电偶已无法满足精度和寿命要求。此类设备必须标配 B型双铂铑热电偶，具有极高的耐高温性能和测量准确度。

高精度PID温控：搭载先进的PLC与触摸屏控制系统，支持多达30至60段的复杂工艺曲线编程。用户可以自由设定升温速率（1700℃工况下建议控制在较低速率，如≤5-10℃/min）、恒温及梯度降温阶段，实现无人值守的全自动运行。优质设备的控温精度可保持在 ±1℃ 以内，有效工作区温差可控制在±3℃ 左右。

强密封与水冷结构：炉门通常采用不锈钢法兰配合金属密封圈或耐高温氟胶圈，部分机型还带有炉门水冷设计，确保气密性极强。炉体采用双层壳体并内置强制风冷或循环水冷系统，保证外壳温度始终处于安全范围（通常≤60℃）。

多重互锁保护：具备完善的安全机制，包括超温断电、断偶保护、过流漏电保护、开门断电等。高端机型还配有真空-温度-气氛联锁保护，当出现气压异常或冷却水故障时会自动切断加热电源，防止回火或样品损坏。