易剥离特性：
采用特殊配方设计，可实现光刻胶与基材的快速、完整剥离
剥离过程对底层材料无损伤，保证图案转移质量
适用于lift-off工艺，提高良率
耐高温性能：
具有出色的热稳定性，可承受高温工艺环境
化学稳定性强，在高温下保持性能不变
适合高温退火、离子注入等后续工艺
高深宽比能力：
可形成高深宽比的微结构
适用于制造MEMS器件和三维集成电路
在深沟槽刻蚀和通孔填充等工艺中表现优异
类型：负性光刻胶
光源兼容性：紫外光(UV)和深紫外光(DUV)
单层厚度范围：1-10μm(可调)
分辨率：亚微米级
粘附性：优异，适用于多种基材
密度：1.2-1.4 g/cm³(典型值)
半导体前端工艺(FEOL)和后端工艺(BEOL)
MEMS器件制造
微机电系统加工
精密光学元件制造
先进封装技术
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主营业务：显影液、漂洗液、光刻胶、聚酰亚胺、冰箱储存、化学试剂、国产试剂、半导体材料、电子专用材料、锐材表面活性剂 美国PTI粉尘，日本JIS粉尘，德国DMT粉尘，美国AATCC测试用，英国SDC,JAMESH,日本测试用品，理美国PTI公司杂质颗粒尺寸分析试验、检测设备及各种试验粉尘。代理德国DMT公司的符合IEC 60312标准的试验粉尘。 同时，公司还代理进口日本JIS标准试验粉尘。 满足国内汽车零部件、纤，电子等行业企业的实验...
