LPCVD设备

lpcvd设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是si3n4、sio2及poly硅薄膜）。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。

设备结构及特点：

1、小型化，方便实验室操作和使用，大幅降低实验成本

两种基片尺寸2英寸或4英寸；每次装片1～3片。

基片放置方式：配置三种基片托架，竖直、水平卧式、带倾角。

基片形状类型：不规则形状的散片、φ2～4英寸标准基片。

2、设备为水平管卧式结构

由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。

反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用；设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。

 

设备主要技术指标

 类型                                                    参数 

成膜类型	si3n4、poly-si、sio2等
zui高温度	1200℃
恒温区长度	根据用户需要配置
恒温区控温精度	≤±0.5℃
工作压强范围	13～1330pa
膜层不均匀性	≤±5％
基片每次装载数量	标准基片:1～3片;不规则尺寸散片:若干
压力控制	闭环充气式控制
装片方式	手动进出样品

生产型lpcvd设备

设备功能

该设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是si3n4、sio2及poly硅薄膜）。

可提供相关镀膜工艺。

 

设备结构及特点

设备为水平管卧式结构，由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。

整个工艺过程由计算机对全部工艺流程进行管理，实现炉温、气体流量、压力、阀门动作、泵的启闭等工艺参数进行监测和自动控制。也可以手动控制。

设备主要技术指标

 类型                                    参数 

成膜类型	si3n4、poly-si、sio2等
zui高温度	1200℃
恒温区长度	根据用户需要配置
恒温区控温精度	≤±0.5℃
工作压强范围	13～1330pa
膜层不均匀性	≤±5％
基片每次装载数量	100片
设备总功率	16kw
冷却水用量	2m3/h
压力控制	闭环充气式控制
装片方式	悬臂舟自动送样

软件控制界面

关于鹏城半导体

   鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。

   公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。

   公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的gao*ji装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。

   公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。

公司已投放市场的部分半导体设备

|物理气相沉积（pvd）系列

磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机

|化学气相沉积（cvd）系列

mocvd、pecvd、lpcvd、热丝cvd、icpecvd、等离子刻蚀机、等离子清洗机

|超高真空系列

分子束外延系统（mbe）、激光分子束外延系统（lmbe）

|成套设备

团簇式太阳能薄膜电池中试线、oled中试设备（g1、g2.5）

|其他

金刚石薄膜制备设备、合金退火炉、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备

|真空镀膜机专用电源/真空镀膜机控制系统及软件

直流溅射电源、rf射频溅射电源、高精度热蒸发电源、高能直流脉冲电源（中频可调脉宽）

控制系统及软件

团队部分业绩分布

   完全自主设计制造的分子束外延（mbe）设备，包括自主设计制造的mbe超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8pa。

   设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。

设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法pecvd技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。

   设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。

   设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。

设计制造了oled有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。

   设计制造了mocvd及合金退火炉，用于gan和zno的外延生长，实现led无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基led工程技术研究中心。

   设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。

   设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。

 

团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累

2001年 与南昌大学合作

设计了中试型的全自动化监控的mocvd，用于外延gan和zno。

2005年与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作

设计制造了di*yi台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。

2006年 与中国科技大学合作

设计超高温cvd 和mbe。

用于4h晶型sic外延生长。

2007年 与兰州大学物理学院合作

设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和cvd技术）。

2015年  中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作

设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。

2017年

-优化rheed设计，开始生产型mbe设计。

-开始研制pvd方法外延gan的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。

2019年 设计制造了大型热丝cvd金刚石薄膜的生产设备。

2021年mbe生产型设计。

2022年大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。

2023年pvd方法外延氮化镓装备与工艺攻关。