鹏城半导体 PECVD设备 PC-006
- 供应商
- 鹏城半导体技术(深圳)有限公司
- 认证
- 戴小姐
- 13632750017
- 联系人
- 戴小姐
- 所在地
- 深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼304(注册地址)
- 更新时间
- 2023-10-25 16:41
pecvd设备主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长;采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术,是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。
设备用途和功能特点
1、该设备是高真空单频或双频等离子增强化学气相沉积pecvd薄膜设备,主要用于制备氮化硅和氧化硅薄膜。
2、设备保护功能强,具备真空系统检测与保护、水压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护。
3、配置尾气处理装置。
设备安全性设计
1、电力系统的检测与保护
2、设置真空检测与报警保护功能
3、温度检测与报警保护
4、冷却循环水系统的压力检测和流量检测与报警保护
设备技术指标
样片尺寸 ≤φ6英寸(或3片2英寸)
样片加热台加热温度 室温~ 600℃±0.1℃
真空室极限真空 ≤7×10^-5pa
工作背景真空 ≤8×10^-4pa
设备总体漏放率 停泵12小时后,真空度≤10pa
样品、电极间距 5mm ~ 50mm在线可调
工作控制压强 10pa ~ 1500pa
气体控制回路 根据工艺要求配置
单频电源的频率 13.56mhz
双频电源的频率 13.56mhz/400khz
工作条件
供电 三相五线制 ac 380v
工作环境温度 10℃~ 40℃
气体阀门供气压力 0.5mpa ~ 0.7mpa
质量流量控制器输入压力 0.05mpa ~ 0.2mpa
冷却水循环量 0.6m3/h 水温18℃~ 25℃
设备总功率 7kw
设备占地面积 2.0m ~ 2.0m
pecvd及太阳能薄膜电池设备
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