鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。    公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。    公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的gao*ji装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。    公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。 公司主营业务微纳米材料与器件、微纳米制造工艺、微纳工艺装备、工艺自动化及软件系统化合物半导体衬底材料和外延片|化合物半导体系列氮化镓、碳化硅、氧化镓、砷化镓、金刚石等|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射、电子束、热蒸发、离子束溅射、离子辅助磁控溅射、多弧离子镀、磁控溅射与离子束溅射复合、磁控溅射与多弧离子镀复合|化学气相沉积（CVD）系列PECVD、ICPECVD、MOCVD、LPCVD、热丝CVD、微波CVD|超高真空系列MBE分子束外延设备（科研型、生产型）、超高真空磁控溅射外延设备（10-8Pa）|其它ICP等离子刻蚀机、半导体合金退火炉、等离子清洗机、真空机械手、金刚石薄膜与厚膜生长设备|团簇式设备系列太阳能薄膜电池设备：PECVD+磁控溅射+样品预处理+真空自动机械手OLED中试设备：热蒸发+电子束+磁控溅射+PECVD+样品预处理+真空自动机械手+手套箱封装室综合薄膜制备和器件制造实验平台：以内置真空机械手的样品传递室为中心（配4～8个进出口），配置各真空工艺室|技术服务非标成套薄膜制备设备设计制造、薄膜制备设备升级改造、自动化软硬件设计承接工艺研发、样品试制与打样、进口设备真空零部件的维修和替换及控制系统更新本科及研究生的毕业课题立项及实训培养、工程师培训 团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了di*yi台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年  与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年  中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。