方形氮化镓衬底厂家 10*10.5mm氮化镓自支撑晶片厂商

方形氮化镓衬底厂家 10*10.5mm氮化镓自支撑晶片厂商

苏州恒迈瑞材料科技生产供应10mm*10.5mm²方形氮化镓自支撑衬底片，衬底厚度350um±25um，掺杂类型分为n型非掺杂，硅掺杂及半绝缘型fe铁掺杂。gan氮化镓自支撑衬底晶片ttv≤10um，抛光类型可选单面抛光ssp或双面抛光dsp。

第三代半导体材料包括了以碳化硅（sic）、氮化镓（gan）为代表的宽禁带化合物半导体。第一二代半导体材料工艺已经逐渐接近物理极限，在微电子领域的摩尔定律开始逐步失效，而第三代半导体是可以超越摩尔定律的。相比于第一代及第二代半导体材料，第三代半导体材料在高温、高耐压以及承受大电流等多个方面具备明显的优势，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。在器件的性能对比上，gan材料以及sic材料在通态电阻以及击穿电压方面都具备较大的优势。