氮化镓衬底片厂家 GaN衬底材料生产商

氮化镓衬底片厂家  gan衬底材料生产商

苏州恒迈瑞材料生产销售氮化镓衬底片。作为第三代半导体材料的gan氮化镓材料优势凸显。由于禁带宽度大、导热率高，gan氮化镓器件可在200℃以上的高温下工作，能够承载更高的能量密度，可靠性更高；其较大的禁带宽度和绝缘破坏电场，使得器件导通电阻减少，有利于提升器件整体的能效；且电子饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器件高速地工作。

在电力电子领域，宽禁带半导体的应用刚刚起步，由于gan但氮化镓材料电子漂移饱和速度高，击穿场强大，目前硅基氮化镓外延制作的功率器件具有高反向关断电压、更高的工作频率和更低的导通电阻等特性，可使电源做的更小，效率更高，更高的功率密度。半导体在节能领域中应用多就是功率器件，绝大多数电子产品都会使用到一颗或多颗功率器件产品。数据显示，宽禁带半导体芯片可以消除整流器在进行交直流转换时90%的能量损失，还可以使笔记本电源适配器体积缩小80%。