氮化镓自支撑衬底生产厂商 GaN晶片厂家

氮化镓自支撑衬底生产厂商 gan晶片厂家

恒迈瑞公司目前自支撑氮化镓衬底片有2英寸和方形10*10.5mm2氮化镓衬底片材料，实现了氮化镓单晶材料生长的n型掺杂、补偿掺杂，研制出高电导率的和半绝缘的氮化镓单晶。

gan氮化镓是射频器件的合适材料。目前射频市场主要有三种工艺： gaas工艺，基于si的ldmos（横向扩散金属氧化物半导体）工艺，以及gan工艺。gaas器件的缺点是器件功率较低，低于50w。ldmos器件的缺点是工作频率存在极限，高有效频率在3ghz以下。gan氮化镓材料弥补了gaas和si基ldmos两种老式技术之间的缺陷，在体现gaas高频性能的同时，结合了si基ldmos的功率处理能力。

氮化镓材料与si/sic相比有独特优势。gan氮化镓与sic碳化硅同属于第三代宽禁带半导体材料，相较于已经发展十多年的sic，gan氮化镓功率器件是后进者，它拥有类似sic碳化硅性能优势的宽禁带材料，但拥有更大的成本控制潜力。与传统si材料相比，基于gan材料制备的功率器件拥有更高的功率密度输出，以及更高的能量转换效率，并可以使系统小型化、轻量化，有效降低电力电子装置的体积和重量，从而极大降低系统制作及生产成本。