ROHM五代碳化硅MOSFET高温导通电阻降低30%

德国维尔利希-明希海德，2026年4月21日——日本半导体巨头ROHM公司正式推出其EcoSiC™系列的第五代碳化硅（SiC）MOSFET。这一突破性产品将高温（结温175°C）下的导通电阻较第四代产品降低了约30%，标志着功率半导体在能效领域迈出了关键一步。该技术专为高功率密度应用优化，将深度赋能下一代电动汽车电驱系统、AI服务器电源及各类工业基础设施。

当前，生成式AI的爆发式增长正推动工业级高性能服务器需求激增，数据中心与AI算力设施的功率密度急剧攀升，给局部电网供电带来严峻挑战。尽管智能电网整合可再生能源被视为解决方案，但如何在能源转换与存储环节Zui大限度降低损耗，仍是行业亟待攻克的难题。与此同时，电动汽车行业对续航里程与快充速度的追求，也倒逼电驱逆变器与车载充电机（OBC）向更低损耗、更高效率方向演进。在此背景下，兼具低损耗与高可靠性的SiC器件，正从千瓦级应用迅速向数百千瓦级核心场景渗透。

作为全球首家实现SiC-MOSFET量产的半导体企业，ROHM自2010年起便深耕该领域，其产品线早已通过汽车级AEC-Q101严苛认证。第四代产品自2020年6月启动样品提供以来，已在全球汽车与工业市场广泛落地，涵盖分立器件与模块全谱系。而Zui新发布的第五代产品，凭借结构创新与工艺优化，在同等击穿电压与芯片尺寸条件下，将高温导通电阻大幅压缩30%。这一性能跃升不仅有助于缩小系统体积，更能显著提升xEV驱动逆变器等高温工况下的输出功率，为系统小型化与高效化提供核心支撑。

在产业化节奏上，ROHM于2025年启动第五代SiC-MOSFET裸片（Bare-Die）研发，并于2026年3月完成攻关。自2026年7月起，搭载该代器件的分立产品与模块将陆续向客户开放样品。未来，公司计划进一步拓展击穿电压选项与封装规格，同时持续升级设计工具链与应用支持体系。随着SiC技术正式迈入主流应用阶段，ROHM正通过全链条自主掌控——从晶圆制造、工艺开发到封装测试及质控——巩固其作为全球SiC者的地位。

该代产品的应用场景覆盖广泛：在 automotive 领域，涵盖xEV驱动逆变器、车载充电机、DC-DC转换器及电动压缩机；在工业装备领域，则包括AI服务器与数据中心电源、光伏逆变器、储能系统（ESS）、不间断电源（UPS）、电动垂直起降飞行器（eVTOL）及AC伺服电机等。ROHM凭借在模拟与功率市场的深厚积累，能够将外围器件与Zui新SiC功率器件及驱动IC深度整合，为系统级客户提供优化的能效解决方案。