罗姆五代碳化硅MOSFET高温导通电阻降低30%

日本半导体巨头罗姆（ROHM）于2026年4月正式宣布，成功开发出面向下一代应用的第五代碳化硅（SiC）MOSFET。这一里程碑式的技术突破，标志着该公司在宽禁带半导体领域的研发实力再次跃升。与上一代产品相比，新器件在高温工况下的导通电阻（RDS(on)）实现了约30%的显著降低，为应对高功率密度需求提供了关键解决方案。

罗姆自2010年开启SiC MOSFET量产以来，始终深耕该领域。2020年推出的第四代产品已广泛应用于车载及工业设备。此次第五代新品并非简单的迭代，而是对器件内部结构进行了彻底重构，并同步优化了制造工艺。通过这种“结构+工艺”的双重革新，罗姆成功将结温高达175℃时的导通电阻降至新低。这意味着在极端高温环境下，器件的能效表现更加优异，能够有效支撑系统向小型化与高功率化方向突破。

从时间轴来看，该第五代SiC MOSFET已于2025年启动裸芯片（Bare Die）样品出货，并于2026年3月完成Zui终开发。自2026年7月起，搭载该核心器件的分立元件及模块样品将正式面向市场。罗姆计划未来围绕耐压等级、封装形式等关键参数，持续推出系列化产品，以满足不同细分市场的多元化需求。

在应用场景上，这款新品将重点瞄准两大高增长赛道。首先是新能源汽车领域，包括牵引逆变器、车载充电机（OBC）及DC-DC变换器等核心部件；其次是新兴的算力基础设施，如AI服务器及数据中心的电源系统，同时覆盖太阳能发电逆变器等工业级应用。这些领域对功率器件的耐热性、可靠性及能效比有着近乎苛刻的要求，而罗姆的新品正是为此量身打造。

日本在功率半导体领域拥有深厚的技术积淀，罗姆作为本土企业，其技术路线往往代表着行业风向。此次高温性能的突破，直接回应了全球电动车续航焦虑与AI算力爆发带来的散热挑战。对于中国而言，SiC产业链正处于从“跟跑”向“并跑”甚至“领跑”跨越的关键期，罗姆的进展既展示了国际竞争的高标准，也印证了高温低阻技术路线的正确性。国内企业若能加速在材料生长、器件设计及先进封装环节的协同攻关，有望在下一代功率器件的竞争中占据更有利的位置，将技术红利转化为产业胜势。