罗姆五代碳化硅MOSFET高温导通电阻降低30%

日本半导体巨头罗姆（ROHM）正式揭晓其EcoSiC系列的Zui新力作——第五代碳化硅（SiC）MOSFET。这款专为高效功率应用而优化的器件，凭借在175°C高温环境下导通电阻较前代降低约30%的卓越性能，将成为电动汽车电驱系统、AI服务器电源及数据中心等工业设备的关键动力源。

近年来，生成式人工智能与大数据处理的爆发式增长，加速了高性能服务器在工业领域的部署。随之而来的功率密度激增，给电力基础设施带来严峻考验，局部供电短缺风险日益凸显。尽管结合太阳能等可再生能源的智能电网被视为潜在解决方案，但如何在能源转换与存储环节Zui小化损耗，仍是行业亟待攻克的瓶颈。

在 Automotive 领域，下一代电动汽车对续航里程与充电速度的追求，催生了对低损耗逆变器及高性能车载充电器（OBC）的迫切需求。在此背景下，兼具低损耗与高效率的SiC器件，正从数千瓦级应用迅速向数百千瓦级高功率场景渗透，成为行业技术升级的必然选择。

罗姆作为全球半导体行业的先行者，早在2010年便率先开启SiC MOSFET的大规模量产，通过广泛部署SiC器件，有效降低了包括符合AEC-Q101车规标准在内的各类高功率应用中的能量损耗。其第四代产品自2020年6月送样以来，凭借涵盖分立器件与模块的丰富产品线，已在汽车与工业领域获得全球广泛采用，为SiC技术的快速普及奠定了坚实基础。

此次发布的第五代产品，通过结构优化与制造工艺的精进，实现了的低损耗特性。在相同击穿电压与芯片尺寸条件下，175°C高温运行时的导通电阻较传统第四代产品降低约30%。这一突破不仅有助于在牵引逆变器等高温应用场景中实现设备小型化与输出功率提升，更将推动SiC技术从“可选”走向“必选”的主流化进程。

罗姆计划于2025年启动第五代SiC MOSFET裸片业务，并于2026年3月完成全部开发工作。自2026年7月起，将陆续提供搭载该代产品的分立器件与模块样品。未来，罗姆将进一步拓展电压等级与封装选项，持续优化设计工具与应用支持体系，助力SiC技术在更广泛的高功率场景中实现高效能利用。

应用版图已全面覆盖汽车系统（xEV牵引逆变器、车载充电器、DC-DC转换器、电动压缩机）与工业设备（AI服务器与数据中心电源、光伏逆变器、储能系统、不间断电源、eVTOL、交流伺服）等关键领域。