罗姆第五代碳化硅功率器件导通电阻降低三成

日本功率半导体巨头罗姆（ROHM）近日宣布，成功开发出面向车载及工业设备应用的第五代碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）新系列产品。这一突破性进展标志着日本企业在第三代半导体材料领域的研发实力持续领跑，通过重构器件结构与优化制造工艺，成功将新产品的导通电阻较第四代产品降低了约30%。

导通电阻的显著下降，意味着电流在器件内部的传输阻力大幅减小。这一技术突破不仅有助于进一步降低系统功耗、抑制发热，更能支持更大电流的通过，从而显著提升电力转换效率。对于追求能效的汽车电子系统和高性能计算设备而言，这项技术无疑提供了关键的底层支撑。

在商业化推进方面，罗姆计划于今年7月开始提供搭载该新品的单体元件及模块样品。值得注意的是，尚未进行封装保护的裸芯片（Bare Chip）样品目前已率先开放供应，以便客户尽早进行验证与评估。虽然具体的样品价格及Zui终销售目标尚未对外披露，但这一快速响应机制显示出罗姆对市场需求的高度敏锐。

该新品的生产将由罗姆位于日本福冈县筑后市的筑后工厂承担，该工厂隶属于罗姆旗下负责前道工序的罗姆器件制造公司。从应用场景来看，新器件主要瞄准车载动力传动系统中的主逆变器，以及人工智能服务器和数据中心电源等对能效要求极高的领域。罗姆方面还透露，未来计划进一步扩展第五代产品的耐压等级并丰富封装类型，以构建更完整的产品矩阵。

日本作为全球半导体材料与传统制造强国，在功率器件领域拥有深厚的技术积淀。面对全球能源转型与“双碳”目标的迫切需求，日本企业正通过持续的技术迭代，在碳化硅等关键材料上构建护城河。罗姆此次推出的第五代产品，正是日本半导体产业在高端制造领域保持竞争力的典型缩影，也折射出全球半导体竞争已从单纯的产能扩张转向核心技术指标的比拼。