纳微发布氮化镓碳化硅方案，面向数据中心与工业电气化

在刚刚落幕的PCIM 2026展会上，纳微半导体（Navitas Semiconductor）集中展示了其在氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）领域的Zui新技术突破。此次亮相的产品矩阵主要面向人工智能数据中心、电网基础设施以及工业电气化三大核心场景，旨在通过第三代半导体材料的高效能特性，解决高功率密度应用中的能效与体积瓶颈。

GaNFast系列性能跃升，拓宽高压应用边界

作为展会的明星产品，纳微半导体推出了新一代GaNFast功率晶体管。该系列器件在保持低导通电阻的同时，显著扩展了电压覆盖范围，从100V下的0.8毫欧低至650V下的11毫欧，为不同层级的电源设计提供了更灵活的选择。与此同时，GaNSafe、GaN Slim以及双向氮化镓集成电路家族也进行了全面扩容，进一步丰富了系统级解决方案的可选性。

在碳化硅领域，纳微半导体展示了采用“沟槽辅助平面”（TAP）技术的3300V、2300V及1200V器件。这些高压芯片配合高可靠性的SiCPAK压接模块，特别适用于严苛的工业与能源环境。此外，面向AI数据中心的第五代GeneSiC TAP MOSFET也首次亮相，提供QDPAK和TO247-LP两种封装形式，以满足不同散热与布局需求。

直击AI数据中心痛点，重构800V供电架构

随着人工智能算力需求的爆发式增长，传统数据中心供电架构面临巨大挑战。纳微半导体在此次展会上重点推介了两款基于氮化镓技术的解决方案，旨在推动行业向800V直流标准平滑过渡。

第一款是功率为20kW的配电板，实现从800V到6V的高效转换。该方案峰值效率高达97.5%，其Zui大亮点在于彻底移除了传统的48V中间总线转换器（IBC）。这一架构革新不仅优化了系统可靠性，还显著降低了物料成本并提升了功率密度。第二款产品为10kW的DC-DC平台，实现从800V到50V的转换，凭借Zui新的650V和100V GaNFast晶体管，其功率密度达到2.1kW/in³，效率更是高达98.5%，展现了氮化镓在高频高效转换中的优势。

赋能电网与工业电气化，提升系统能效

在能源基础设施方面，纳微半导体展示了基于GeneSiC超高压（UHV）和高压（HV）技术的固态变压器（SST）拓扑结构。其中，由洛桑联邦理工学院（EPFL）开发的全功能SST单元，通过创新的单级拓扑将转换级与变压器集成，简化了系统复杂度。另一款50kVA的双向有源桥（DAB）SST解决方案，则采用了3300V SiCPAK模块，并由德州仪器（Texas Instruments）的C2000微控制器及1栅极驱动器协同控制，实现了双向能量流动的高效管理。

在工业电机控制与电气化领域，纳微半导体展示了基于GaN Sense Motor Drive电路的创新方案。该电路集成了无损耗电流测量以及电压和温度保护功能，大幅简化了驱动设计。同时，GaN Slim系列电路也在高性能计算的高密度解决方案开发中证明了其简化设计的价值。展会期间，纳微半导体的技术专家还参与了多场PCIM圆桌论坛，深入探讨了第三代半导体在下一代能源与计算基础设施中的应用前景。

从此次PCIM 2026的发布内容来看，纳微半导体正加速将氮化镓和碳化硅技术从“可用”推向“好用”和“必用”阶段。对于中国半导体产业链而言，这既是竞争压力的具象化，也是技术演进的明确指引。国内企业在关注终端应用能效提升的同时，应加强对高压GaN器件可靠性及SiC模块封装工艺的深耕，特别是在AI服务器电源管理这一高增长赛道上，唯有在功率密度与转换效率上实现同等甚至更优的突破，才能在全球供应链重构中占据有利身位。