罗姆提前两年达成8英寸碳化硅高性能制造目标

日本半导体巨头罗姆公司（ROHM）于4月2日正式宣布，已成功确立适用于8英寸碳化硅（SiC）晶圆的 epitaxial（外延）生长技术及低导通电阻化技术，并成功开发出整合这些核心要素技术的8英寸SiC制造产线。这一突破标志着日本在第三代半导体关键制造环节取得了实质性进展，为后续大规模商业化应用奠定了坚实基础。

该成果源于罗姆公司承接的日本新能量・产业技术综合开发机构（NEDO）于2022年度启动的“绿色创新基金事业/次世代数字基础设施构建”项目。该项目旨在通过研发“次世代功率半导体器件制造技术”，重点攻克“8英寸次世代SiC MOSFET开发”课题。绿色创新基金由日本经济产业省于2020年12月牵头设立，核心目标是构建“经济与环境的良性循环”，其中“次世代数字基础设施构建”项目聚焦于实现碳中和社会所必需的数字化基础设施的节能化与高性能化。罗姆的课题正是通过提升下一代功率半导体的制造技术，加速其在电动汽车、工业设备等广泛领域的普及。

在项目实施期间，罗姆重点研发了两大核心技术：一是适用于8英寸SiC功率半导体的高品质外延生长技术，二是显著降低导通电阻的工艺技术。经过严格的外部评估，由NEDO委员会组成的专家团确认，罗姆已成功将上述两项要素技术整合，构建了完整的8英寸SiC制造产线，并完成了搭载于自研模块中的SiC功率器件的性能验证。根据原定计划，该项目周期为2022年度至2027年度，为期6年，但罗姆凭借技术突破，成功将目标达成时间提前了两年。

随着技术验证的完成，罗姆将正式从研发阶段转入社会应用与量产阶段。公司方面表示，利用该新产线制造的SiC MOSFET，凭借低导通电阻和良率提升带来的成本优势，将显著增强市场竞争力。未来，罗姆计划充分利用该产线进行大规模生产，致力于推动各类设备的节能化与小型化，为日本乃至全球的绿色能源转型提供核心硬件支持。日本在碳化硅领域长期面临8英寸晶圆制造良率与成本的双重挑战，罗姆此次提前达成目标，不仅巩固了其在功率半导体领域的技术领先地位，也展示了日本在政府基金支持下攻克关键材料制造难题的执行力。