7N65放大电路 ASEMI 放大电路

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4n65_场效应管asemi品质mos管

4a，7n65放大电路，650v，r ds(on) =2.2Ω@v gs =10v/2a

 low gate charge

 low c iss

 fast switching

avalanche tested

improved dv/dt capability

晶体管有n型channel所有它称为n-channel mos管，或nmos。p-channelmos（pmos）管也存在，是一个由轻掺杂的n型backgate和p型source和drain组成的pmos管。如果这个晶体管的gate相对于backgate正向偏置，电子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。

asemi-90n10/100n10-mos管导通特性
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asemi-90n10/100n10-mos管导通特性

导通的意义是作为开关，相当于开关闭合。nmos的特性，vgs大于一定的值就会导通，适宜用于源极接地时的情况（低端驱动），只需栅极电压抵达4v或10v就可以了。pmos的特性，vgs小于一定的值就会导通，适宜用于源极接vcc时的情况（驱动）。但是，固然pmos可以很便当地用作驱动，但由于导通电阻大，交流种类少等缘由，放大电路，在驱动中，通常还是运用nmos。

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8、输入阻抗高，驱动功率小：由于栅源之间是二氧化硅（sio2）绝缘层，栅源之间的直流电阻基本上就是sio2绝缘电阻，10n60放大电路，一般达100mΩ左右，交流输入阻抗基本上就是输入电容的容抗。由于输入阻抗高，对激励信号不会产生压降，有电压就可以驱动，8n80放大电路，所以驱动功率（灵敏度高）。一般的晶体三极管必需有基极电压vb，再产生基极电流ib，才能驱动集电极电流的产生。晶体三极管的驱动是需要功率的（vb×ib）。

9、开关速度快:mosfet的开关速度和输入的容性特性的有很大关系，由于输入容性特性的存在，使开关的速度变慢，但是在作为开关运用时，可降低驱动电路内阻，加快开关速度（输入采用了后述的“灌流电路”驱动，加快了容性的充放电的时间）。mosfet只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速，开关时间在10—100ns之间，工作频率可达100khz以上，普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应，使开关总有滞后现象，影响开关速度的提高（目前采用mos管的开关电源其工作频率可以轻易的做到100k/s～150k/s，这对于普通的大功率晶体三极管来说是难以想象的）。

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