10N65场效应管 场效应管 ASEMI

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同步整流管和整流二极管

同步整流管sr及整流二极管构成的半波整流电路如图1（b）所示。当sr的门极驱动电压ug，与正弦波电源电压仍同步变化时，则负载r上得到的是与二极管整流电路相同的半波正弦波电压波形1fr。

同步整流管的源一漏极之间有寄生的体二极管，还有输出结电容（未画出），驱动信号加在门极和源极（g-s）之间，是一种可控的开关器件。皿关断时，电流仍然可以由体二极管流通。不过m体二极管的正向导通压降和反向恢复时间都比sbd大得多，因此，一旦电流流过sr的体二极管，则整流损耗将明显增加。

由于同步整流是由可控的三端半导体开关器件来实现的，因此必须要有符合一定时序关系的门极驱动信号去控制它，使其像一个二极管一样地导通和关断。驱动方法对银的整体性能影响很大，因此，门极驱动信号往往是设计同步整流电路时必须要解决的首要问题。例如，sr开通过早或关断过晚，都可能造成短路，而开通过晚或关断过早又可能使sr的体二极管导通，使整流损耗和器件应力增大。

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mos管一bai般又叫场效应管，与二极管du和三极管不同，二极管只能通过正zhi向电流，反向截止，不能控dao制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，mos管是小电压控制电流的。

asemi-7n65_mos管

产品：7n65

品牌：asemi

电流：7a

电压：650v

产品描述：mos管又称场效应管，10n60场效应管，即在集成电路中绝缘性场效应管。

7a，场效应管，650v，r ds(on) =1.4Ω@v gs =10v/3.5a

low gate charge

low c iss

fast switching

avalanche tested

improved dv/dt capability

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ssr1013l-asemi场效应管

同步整流是采用通态电阻极低的专用功率mosfet，10n65场效应管，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高dc/dc变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。功率mosfet属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率mosfet做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。同步整流管导通时的的管压降至少要比二极管的压降低，这样才能体现同步整流的优势，i同步整流一般用在低压大电流的情况下。比如输出电压只有3v，这时即使用肖特基只有0.3v的管压降那整流效率也只有90％。而mos管导通时呈电阻态，管压降可以很低达到几十毫伏甚至几毫伏，这时的整流效率就很高了。常见的小功率mos同步整流管。

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