光刻胶去胶液 光刻胶 赛米莱德
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- 北京赛米莱德贸易有限公司
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- 北京市北京经济技术开发区博兴九路2号院5号楼2层208
- 更新时间
- 2020-04-03 19:21
光刻胶
主要分为干膜光刻胶、湿膜光刻胶(又称为抗蚀刻/线路油墨)、光成像阻焊油墨等。pcb光刻胶技术壁垒相对较低,主要是中低端产品。
lcd
光刻胶
包含彩色滤光片用彩色光刻胶及黑色光刻胶、lcd 触摸屏用光刻胶、tft-lcd 正性光刻胶等产品。
彩色滤光片是lcd
实现彩色显示的关键器件,占面板成本的14%~16%;在彩色滤光片中,彩色光刻胶和黑色光刻胶是核心材料,占其成本的27%左右,其中黑色光刻胶占彩色滤光片材料成本的6%~8%。
半导体光刻胶
包括g 线光刻胶、i 线光刻胶、krf 光刻胶、arf 光刻胶、聚酰ya光刻胶、掩膜板光刻胶等。
光刻胶介绍
光刻胶(又称光致抗蚀剂),是指通过紫外光、准分子激光、电子束、离子束、x射线等光源的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀刻材料。光刻胶具有光化学敏感性,其经过曝光、显影、刻蚀等工艺,光刻胶,可以将设计好的微细图形从掩膜版转移到待加工基片。因此光刻胶微细加工技术中的关键性化工材料,被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作。生产光刻胶的原料包括光引发剂(包括光增感剂、光致产酸剂)、光刻胶树脂、单体和其他助剂等。
光刻胶工艺
普通的光刻胶在成像过程中,光刻胶去胶液,由于存在一定的衍射、反射和散射,nr91500py光刻胶,降低了光刻胶图形的对比度,nr93000p光刻胶,从而降低了图形的分辨率。随着曝光加工特征尺寸的缩小,入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。为了提高曝光系统分辨率的性能,futurrex的光刻胶正在研究在曝光光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。该技术的引入,可明显减小光刻胶表面对入射光的反射和散射,从而改善光刻胶的分辨率性能,但由此将引起工艺复杂性和光刻成本的增加。
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