赛米莱德 NR74g 6000PY光刻胶 光刻胶
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- 2020-04-02 12:03
芯片光刻的流程详解(二)
所谓光刻,根据维基百科的定义,这是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆,还可以是其他金属层、介质层,例如玻璃、sos中的蓝宝石。
光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂(或称光刻胶)感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点,将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。
在这一步中,将使用特定波长的光对覆盖衬底的光刻胶进行选择性地照射。光刻胶中的感光剂会发生光化学反应,从而使正光刻胶被照射区域(感光区域)、负光刻胶未被照射的区域(非感光区)化学成分发生变化。这些化学成分发生变化的区域,在下一步的能够溶解于特定的显影液中。
在接受光照后,正性光刻胶中的感光剂dq会发生光化学反应,变为乙烯酮,nr74g6000py光刻胶,并进一步水解为茚并羧酸(indene-carboxylic-acid,ca),羧酸在碱性溶剂中的溶解度比未感光部分的光刻胶高出约100倍,产生的羧酸同时还会促进酚醛树脂的溶解。利用感光与未感光光刻胶对碱性溶剂的不同溶解度,就可以进行掩膜图形的转移。
曝光方法:
a、接触式曝光(contact printing)掩膜板直接与光刻胶层接触。
b、接近式曝光(proximity printing)掩膜板与光刻胶层的略微分开,大约为10~50μm。
c、投影式曝光(projection printing)。在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现曝光。
d、步进式曝光(stepper)
市场上,光刻胶产品依据不同标准,可以进行分类。依照化学反应和显影原理分类,光刻胶可以分为正性光刻胶和负性光刻胶。使用正性光刻胶工艺,形成的图形与掩膜版相同;使用负性光刻胶工艺,nr2725000p光刻胶,形成的图形与掩膜版相反。
按照感光树脂的化学结构分类,光刻胶可以分为①光聚合型,采用烯类单体,在光作用下生成自由基,进一步引发单体聚合,nr2625000p光刻胶,后生成聚合物,具有形成正像的特点;②光分解型,采用含有叠氮醌类化合物的材料,其经光照后,发生光分解反应,可以制成正性胶;③光交联型,采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,可以制成负性光刻胶。
按照曝光波长分类,光刻胶可分为紫外光刻胶(300~450nm)、深紫外光刻胶(160~280nm)、极紫外光刻胶(euv,13.5nm)、电子束光刻胶、离子束光刻胶、x射线光刻胶等。不同曝光波长的光刻胶,其适用的光刻极限分辨率不同,光刻胶,通常来说,在使用工艺方法一致的情况下,波长越小,加工分辨率越佳。
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