倒装封装 封装 捷研芯纳米科技

  在过去10年里，微机电系统(mems)大量地“借用”那些起初是为军方高可靠性应用而开发的封装技术。虽然这类封装在mems中的表现良好，但与之相关的成本却高达单个mems器件价格;70%。现在，随着晶圆级封装(wlp)和微流体技术的进步，mems封装技术也在不断演化发展。

    在mems生产制造过程中，晶圆制造占成本比例低，反倒是封测成本高，约占50%，主要在晶圆端mems只需采用0.35~0.5μm等成熟制程，倒装封装，不需进入更高阶制程，不过封装端的精密度却远高于半导体封装，测试时间也较长，因此成本较高。

mems封装技术顺势而生，它的制备工艺和设备已相当成熟，mems器件的应用并不多，fbar封装，没有大范围进行推广。因为mems器件的封装技术没有达到很高的水准，所封装的器件并没有很好的质量。mems器件封装技术的不成熟在很大程度上面限制mems商业的发展。

 mems微机电系统，是比较独立的智能系统，封装，尺寸很小，只有几毫米甚至更小，由三大部分组成，传感器、动作器和微能源。mems设计包含多方面学科，主要是物理学、化学、材料工程、电子工程等一系列学科，微机电系统应用于多方面领域，汽车电子领域、计算机领域、消费电子领域、网络通信类这四类是常见的领域。mems工艺与传统的ic工艺有许多相似之处，mems借鉴了ic工艺，如光刻、薄膜沉积、掺杂、刻蚀、化学机械抛光工艺等，对于毫米甚至纳米级别的加工技术，传统的ic工艺是无法实现的，必须得依靠微加工，进行精细的加工，能达到想要的结构和功能。微加工技术包括硅的体微加工技术、表面微加工技术。体加工技术是指沿着佳衬底的厚度方向对硅衬底进行刻蚀的工艺，是实现三维结构的重要方法。表面微加工是采用薄膜沉积、光刻以及刻蚀工艺，通过在牺牲层薄膜上沉积结构层薄膜，然后去除牺牲层释放结构层实现可动结构。

当力作用于硅晶体时，晶体的晶格产生变形，使载流子从一个能谷向另一个能谷散射，引起载流子的迁移率发生变化，扰动了载流子纵向和横向的平均量，从而使硅的电阻率发生变化。这种变化随晶体的取向不同而异，射频前端封装，因此硅的压阻效应与晶体的取向有关。硅的压阻效应不同于金属应变计，前者电阻随压力的变化主要取决于电阻率的变化，后者电阻的变化则主要取决于几何尺寸的变化(应变)，而且前者的灵敏度比后者大50～100倍。

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