半导体实验室功率MOSFET电参数测试系统

 mosfet综合测试系统技术指标

1 栅极-源极电压vgss及漏电流igss

电压vgs：-20v-20v 误差±3%±0.2v

电流igss：0.01-10µa误差±3%±0.01µa

漏极电压：vds=0v         

2 漏极-源极电压vdss及电流idss

漏极电压vdss：0-150v  误差±3%

漏极电流idss：0.1µa-10ma  误差±5%±0.1µa

栅极电压vgs=0v

3 栅极-源极阀值电压vgs(th)

vgs(th)：0.1-10v 误差±3%±0.1v

显示栅极-源极阈值电压vgs(th)

vds= vgs

漏极电流id：0.1-2ma 误差±3%

4 rds（on）/idm

rds（on）：0~2mΩ

栅极电压vgs：10v 误差±2%±0.2v

漏极电流id：10-2000a误差±3%

漏极冲击电流idm：10-3500a  误差±3%

5 二极管压降测试vf/ism

vf：0.1-5v 误差±3%±0.01v

栅极电压vgs：0v

电流if：10-2000a误差±3%

反向冲击电流ism：10-3500a 误差±3%

6 热敏电阻r

r：0~10k

7 开关时间测试条件

Øid：50a～900a

Øvds：0v～50v

Øvgs：0v～＋20v±3%±0.1v

Ørg：5r、10r可选择

l负载：感性负载、阻性负载

l电感范围：20µh、50µh、100µh、200µh

l电阻范围：0.05r

8 mosfet开关特性测试参数

Ø开通延迟td(on)：20ns-10μs

20ns～99ns±3%±1ns；

100ns～999ns±3%±5ns；

1000ns～10μs±3%±10ns。

Ø上升时间tr：20ns-10μs

Ø关断延迟时间td(off)：20ns-10μs

100ns～999μs±3%±5ns；

Ø下降时间tf：20ns-10μs

9 二极管反向恢复特性测试

frd测试条件：

Ø正向电流if：50a～900a

Ø反向电压vr：0v～50v

负载：感性负载可选

电感范围：20μh、50μh、100μh、200μh

frd测试参数：

Ø反向恢复时间trr：20ns～2μs

1000ns～2μs±3%±10ns。

Ø反向恢复电荷qc：10nc～10μc

10nc～100nc±3%±2nc；

100nc～1000nc±3%±10nc；

1μc～10μc±3%±50nc。

Ø反向恢复电流峰值irm

10 栅极电荷测试

测试条件：

Ø集电极电流id：0a～900a

Ø集电极电压vds：0v～50v

Ø栅极电压vgs：0v～+20v±2%±0.1v

Ø负载：感性、阻性负载

Ø电感范围：20μh、50μh、100μh、200μh

Ø电阻范围：0.05r

Ø测试参数qg：20nc～20μc

20nc～100nc±5%±10nc；

100nc～1000nc±5%±20nc；

1μc～10μc±5%±50nc；

10μc～20μc±5%±100nc。

11 雪崩测试

l电源电压：20-200v

l雪崩能量：实测

l雪崩电流：1a-200a

l电感：30uh、100uh、200uh

l电压波形：方波

l脉冲宽度：100μs-800ms

l测试频率：单次/重复

12 控制方式及夹具说明

控制方式：计算机控制；

数据采集方式：计算机采集；

测试结果显示方式：计算机显示；

计算机显示测试结果并可记录测试数据，测试记录表格按照用户提供的格式进行编写，器件编号输入方式手动输入；

本系统采用研华计算机进行时序控制、数据采集、数据显示等，测试系统具有人性化的操作界面，操作者可对测试条件等参数进行设置并保存，并可对测试数据进行存储，为了对测试结果进行统计和分析，记录数据可转为excel表格格式。

夹具加热功能：

温度控制精度范围：75～150℃；

75℃-125℃±1.0℃；

125℃-150℃±1.5℃。

设备出厂时含一套测试夹具及适配器两个，后续添加适配器另行协商。