IGBT器件全参数测试系统

现今igbt（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及高性能之要求,带动mosfet及igbt的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换....等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。

半导体元件除了本身功能要良好之外，其各项参数能否达到电路上的要求，必须定期测量，否则产品的质量特性很难保证，尤其是较大的功率元件，因具有耗损性，易老化及效率降低，因不平衡导致烧毁，甚至在使用中会发生爆炸。所以对新产品及使用中的元件参数的筛选及检查更为重要。针对igbt而言，igbt是广泛应用于现代中大功率变换器中的主流半导体开关器件。其中，城市轨道交通车辆的牵引逆变器、辅助逆变器等重要电气设备中，大量使用了igbt器件，igbt器件的各种静态参数为使用者可靠选择器件提供了非常直观的参考依据，因此准确测量igbt的各种静态参数具有极其重要的实际意义。

en—3020c测试系统是西安易恩电气科技有限公司推出的igbt静态测试系统，该系统符合国军标gjb128-86和国家标准gb/t4587-94测试规范。