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氯化铪(CAS:13499-05-3)产品基础信息
四氯化铪、氯化铪(IV)
Hafnium chloride、Hafnium tetrachloride、Hafnium(IV) chloride、Tetrachlorohafnium
CAS号:13499-05-3
分子式:HfCl₄
分子量:320.30
EINECS编号:236-826-5
质量:319.8372
PSA:0.00
LogP:无相关数据
主要成分:氯化铪又称四氯化铪,是一类高活性无机金属卤化物,属于高端稀有金属前驱体、半导体镀膜原料、陶瓷合成助剂、金属铪冶炼中间体与高精科研专用耗材。分子为典型的IV族金属卤化物构型,结构规整、化学键活性高、配位能力强,具备优异的热升华特性与化学反应活性。可参与水解、醇解、配位取代、高温还原等多类反应,是制备高纯氧化铪、金属铪、铪基陶瓷、半导体介质薄膜的核心前驱原料,广泛适配半导体新材料、高端陶瓷冶金、精密无机合成、高校高精科研实训等领域。
外观形态:常温常压下为白色至微灰白色结晶性粉末或晶状固体,质地干燥疏松、晶型均匀、无硬质团聚结块、无杂色斑点、无机械杂质夹杂。高纯度产品组分单一纯净,无氯氧化铪、锆盐杂质、游离氯、水分及工艺副产物,晶体规整度高、升华性能稳定、批次反应活性与合成适配性一致性极强;工业级含微量锆系杂质与少量工艺残留,不影响基础铪盐合成、常规陶瓷掺杂、普通冶金预处理应用。密封干燥隔氧避光条件下性状相对稳定,对湿气极度敏感,长期敞口暴露环境下会快速吸潮水解、发烟变质、生成氯氧化铪杂质,活性大幅衰减,极易丧失原料使用性能。
熔点:319℃(升华),无常规熔融流动区间,属于低温升华型卤化物,常温至中温区间晶体结构完整稳定,无晶格坍塌、无组分失活。常规温度区间可稳定保持固体晶型与化学活性;温度达到升华区间可直接由固态转为气态,升华纯度高、气相组分均匀,适配气相沉积、高温提纯、气相镀膜工艺;持续超高温极限环境下会发生化学键裂解、分子热分解,产生副产物与铪系氧化物残渣,彻底丧失前驱体合成、镀膜制备、冶金提纯等核心使用功能。常规常温储存、低温合成复配、气相预处理工况下热稳定性良好,适配各类精密新材料制备工况。
沸点:315℃(常压升华),常压下以升华过程为主,无沸腾液化过程,中低温区间热稳定性良好,无提前分解、无无效损耗。可控升温条件下升华均匀、气相纯度高,是高纯铪材料气相提纯的核心特性;极端高温密闭环境下会发生热降解、结构破损,释放腐蚀性含氯烟气,完全失去高端前驱体原料、气相沉积耗材、冶金中间体等应用价值。常温无挥发性,仅在加热条件下产生升华气相,适配密闭气相工艺、恒温前驱体配制、惰性气氛加工工况,严禁开放式高温加热、敞口煅烧处理。
密度:3.05~3.10g/cm³(25℃),金属卤化物晶体结构致密规整,原子排布高度有序,分子间作用力稳定,粉体堆积均匀密实,无密度分层、组分偏析、局部富集沉降现象。惰性密闭、干燥无水环境下无相变、无晶格风化、无组分析出,规范无水隔湿储存可长期维持晶体结构完整性、反应活性与理化稳定性。
溶解性:极易溶于水,遇水快速发生剧烈水解反应,生成与氯氧化铪沉淀物,无法形成稳定透明水溶液;易溶于无水乙醇、甲醇、等无水极性、非极性有机溶剂,在无水体系中溶解均匀、体系稳定、无沉淀析出、无快速分解。常温无水配比、惰性气氛复配工况下分子结构稳定、无裂解变质、无活性衰减,适配无水前驱体配制、有机金属配位合成、精密气相沉积体系调配等高端应用场景,严禁含水体系直接溶解使用。
功能特性:氯化铪具备优异的气相升华特性与高反应活性,杂质可控性强、气相均匀度高、前驱体稳定性适中,是原子层沉积、化学气相沉积工艺制备氧化铪介质薄膜的核心前驱体材料。可通过水解、热解精准制备高纯度氧化铪粉体与涂层材料,也可通过高温还原制备高纯金属铪,同时可作为铪基陶瓷、复合功能材料的改性前驱体,掺杂提升陶瓷材料耐高温、耐腐蚀、介电稳定性能。反应转化率高、杂质残留低、工艺重复性好,适配半导体芯片制造、高端耐火陶瓷、稀有金属提纯、精密无机合成等高端工业与科研场景。
酸碱度:遇水水解体系呈强酸性,纯品无水体系呈中性,化学活性极强、对水环境极度敏感,金属卤化物结构酸碱耐受范围狭窄。仅适配无水、惰性、中性反应体系与储存环境;遇潮湿空气、水分、弱碱性介质即刻发生水解酸化、结构损毁,强碱性环境下会彻底分解生成铪系氢氧化物沉淀,完全丧失前驱体合成、气相镀膜、材料制备等核心功能,常规无水密闭惰性环境下使用性能稳定可控。
稳定性:无水、常温密封、惰性气氛、干燥避光条件下,晶体结构、升华性能、化学反应活性均可长期保持稳定,耐干、抗惰性氧化、储存稳定性优良。对湿气、水汽、极性水溶液、强碱性介质极度敏感,微量水分即可触发快速水解、发烟变质、生成惰性杂质,导致前驱体失效、纯度下降、工艺适配性丧失。规范无水隔湿、惰性密封储存可有效维持产品纯度、晶型完整与工艺稳定性,干燥惰性环境下无自发分解、无组分变异,批次性能一致性优异。
工业级:氯化铪有效组分含量≥98.0%,含微量锆盐、残余游离氯、微量水分及工艺杂质,,升华性能稳定、基础反应活性可靠,适用于普通铪盐合成、耐火陶瓷掺杂、粗提纯冶金预处理场景。
纯:氯化铪有效组分含量≥99.0%,锆杂质、卤素残留、不溶物含量极低,组分均匀、晶体结构完整、批次升华稳定性与合成一致性优异,适用于中端精细铪化合物制备、常规陶瓷功能改性、基础新材料研发场景。
超高纯级:氯化铪有效组分含量≥99.99%,金属杂质、非金属杂质含量极低,无干扰性残留组分,气相纯度高、水解可控、工艺重复性极强,适配半导体气相沉积、高纯氧化铪制备、精密介电材料研发、高校高精科研实训场景,是高端半导体与新材料专用标准前驱体原料。
销售规格:支持多规格定制与小批量起购,采用无水无氧真空封装、密封防潮耐腐蚀专用包装,全程隔绝水汽、空气、光照与环境杂质,彻底杜绝水解变质、吸潮失效、组分劣变。产品批次稳定、晶型纯正、纯度达标、工艺适配性广,可全面适配半导体镀膜前驱体、高纯铪化合物合成、高端陶瓷改性、科研实验、教学实训、高精新材料研发等多领域场景。
储存条件:必须储存于常温阴凉、干燥、通风惰性、密封隔氧避光环境,高精高纯样品建议低温恒温无水密封储存。严格远离潮湿积水、水汽环境、高温热源、强氧化剂、酸碱介质,严禁敞口放置、接触空气受潮。不同品级产品分开存放,严禁与含水、易潮解、腐蚀性、碱性物料混储,防止触发水解反应、结构降解、功能完全失效。
用途:半导体新材料领域用作核心气相沉积前驱体,制备高纯氧化铪介电薄膜,应用于芯片、微电子器件制造;冶金领域用作高纯金属铪冶炼中间体,通过还原、提纯工艺制备超高纯金属铪;陶瓷材料领域用作铪基陶瓷前驱原料,制备耐高温、耐腐蚀、高介电稳定性特种陶瓷;精细无机合成领域用于各类铪盐、铪基配合物、功能性铪系衍生物的合成制备;教学科研领域用于金属卤化物水解特性、气相升华机理、稀有金属化合物合成的教学演示与科研实验。
制备工艺:以高纯金属铪或氧化铪为核心原料,经高温氯化反应、恒温气相升华提纯、气相杂质分离、惰性气氛结晶、精细除杂、微量水分脱除、无尘筛分、无水无氧真空密封封装等多道精密稳控工序精制而成,分级去除锆系杂质、未反应原料、含氯副产物与工艺残留,精准提纯高纯度、高稳定性氯化铪结晶成品,得到各品级合格氯化铪产品。
危险性:属于高活性腐蚀性无机卤化物,遇水、潮湿空气会剧烈水解释放腐蚀性烟气,具备强刺激性与腐蚀性。粉体粉尘、水解烟气对皮肤、眼部、呼吸道黏膜有强烈刺激与腐蚀作用,接触可引发灼伤、不适,误食会造成消化道损伤。常规操作必须全程保持环境干燥通风、杜绝水汽接触,佩戴全套防腐防护用具、护目镜与防尘防腐手套,严格规避粉尘接触、烟气吸入、误食风险。严禁与水、强碱、强氧化剂混配接触,防止剧烈反应、释放有毒腐蚀烟气。废弃粉体、残渣及包装按腐蚀性无机危废规范无害化处理,严禁随意倾倒,规避腐蚀伤害与环境污染隐患。
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持证合法经营各种化工原料:非危险化学品、危险化学品、易制爆、和易制毒等工业与试剂产品
批发(无仓储):、、、乙醇(无水)、乙酸(含量>80%)、氢氧化钠、过氧化氢(20%≤含量≤60%)、漂白粉、铜、硝酸、、甲酸、正磷酸、硫化钠(含结晶水≥30%)、次溶液(含有效氯>5%)、氯[液化的](以上经营项目许可证有效期至2017年4月7日),销售:塑料制品、钢材、建筑材料、化工产品...
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