C19700铜铁合金

一、牌号定位与对标

UNS C19700 属于低铁微量磷脱氧铜铁合金，是 C19400 升级改良型高导冲压基材，主打半导体小型引线框架、超薄蚀刻导电片、FPC 无弹力连接衬片、散热薄带、PCB 固定引脚。核心特点：超高导电、低残余轧制应力、优异薄板塑性、易焊接电镀，无镍、锡、硅弹性强化相，无长效弹性夹持能力，仅做固定导电 / 散热结构件；对标日系 KLF194SHT、国产改良 C19400 铜铁带，区别铜镍硅、磷青铜弹性合金。适配厚度 0.02～1.3mm 超薄精密带，适合高速冲压、化学蚀刻、浅拉伸成型。

二、标准化学成分（质量分数）

Cu+Ag：余量Fe：0.06～0.16P：0.02～0.06杂质总含量≤0.03%；不含 Ni、Si、Sn、Be、Co 等强化元素。强化机理：微量铁均匀弥散细晶强化，小幅提升抗拉与抗软化温度，几乎不牺牲纯铜高导电；磷去除熔体氧，消除氢脆，兼顾焊接密封性；无硬质合金相，薄板折弯、蚀刻不易开裂、翘曲。

三、基础物理参数

密度：8.92 g/cm³弹性模量：124 GPa线膨胀系数：17.8×10⁻⁶/℃导电率：88～94 % IACS，远超铜镍硅、锡磷青铜，接近高纯无氧铜；热导率：360～390 W/(m・K)软化温度：290℃，短时耐受 260℃ SMT 回流焊，长期 110℃以上高温无稳定夹持弹力；耐蚀：中性盐雾 400h 无红锈，仅室内干燥电子环境，不耐机舱油污、户外强盐雾。

四、常规轧制力学状态

1. O 软态（超薄蚀刻引线、散热均热箔、真空辅助导电薄片、FPC 无弹力衬片）抗拉 225～265 MPa，HV68～88，伸长率≥45%，可极小 R 折弯、浅拉伸，蚀刻尺寸无畸变。

2. 1/2H 半硬（摄像头模组导电引脚、充电底座固定导电片、屏蔽连接薄片）抗拉 305～355 MPa，HV102～122，伸长率≥22%，轻微折弯不变形，冲裁断面光洁少毛刺。

3. H 硬态（小型二三极管引线框架、固定汇流导电薄带、仪器接地片）抗拉 375～425 MPa，HV138～158，伸长率≥9%，成型后结构稳定，仅静态导电，无回持力。

五、C19700 核心优势

1. 超高导电导热，信号 / 散热损耗极低导电 88% IACS 以上，微型引线、高频弱信号导电片阻抗波动极小，工作发热远低于铜镍硅、磷铜，适合密集引脚功率器件散热基底。

2. 低应力专属轧制，超薄加工平整不变形原厂控内应力工艺，0.02mm 极薄带冲压、蚀刻后无波浪翘曲，高密度多引脚引线框架无需二次校平，半导体封装量产良率大幅提升。

3. 薄板塑性，折弯拉伸容错率高无镍硅、锡硬质强化相，多道小角度折弯、浅拉伸结构不易崩边分层，模具磨损更低，超薄异形导电件加工成本更低。

4. 焊接、电镀适配性优异基体纯净低氧化，预镀镍 / 金 / 银镀层附着力强；锡焊、超声焊浸润均匀无气孔，适配 SMT、半导体封装全流程。

5. 环保低成本，大批量导电件无铍、钴、铬管控重金属，原料成本远低于 OFC 无氧铜、铜镍硅弹性合金，适合海量无弹力导电引线、散热薄片降本。

六、供货规格（超薄冲压铜带）

厚度 0.02～1.3mm，分切宽度 2～350mm，厚度公差 ±0.0015mm；镜面低应力去油表面；支持分条、定尺零切、覆膜防氧化；配套细圆棒 Φ2～50mm 用于微型固定插针车削。

七、细分应用场景

1. 半导体分立器件：小型三极管、MOS 管、二极管超薄引线框架基底；

2. 轻薄消费电子：手机 / 平板 FPC 固定导电衬片、TWS 耳机内部导电引线、摄像头模组无弹力导电薄片；

3. 精密散热元件：便携芯片超薄均热箔、功率器件辅助散热薄带；

4. 仪器仪表屏蔽接地：便携式设备接地薄片、射频腔体无弹力屏蔽连接片；

5. 小型连接器配件：充电底座固定导电引脚、PCB 无夹持力连接片。

八、同类材料替换对比

1. C19400 标准铜铁合金：导电 85～90% IACS，杂质上限更高、内应力偏大，超薄蚀刻件易轻微翘曲；C19700 纯度、导电上限、平整度全面升级，高端引线框架优先选用。

2. KLF194SHT 日系铜铁合金：性能指标高度重合，C19700 为美标牌号，适配北美半导体元器件认证。

3. 015sOFC/12sOFC 无氧铜：导电略高，但强度极低、成本昂贵，仅真空、音频专用，大批量引线框架性价比不足。

4. C19005/NKC286 铜镍硅：具备弹性夹持力，但导电仅 53～63% IACS，发热大，仅做插拔弹片，固定导电引线框架。

5. MF202/NF202 磷青铜：弹性好可做触点，但导电仅 17～22% IACS，信号损耗严重，不适合引线框架、高频导电片。