12sOFC真空引线无氧铜

一、牌号定位与对标

12sOFC 为日系真空专用超薄系列无氧铜，s 代表超薄精密轧制，12 代表氧含量控制≤0.0012%，定位真空器件引线、电子管封接引线、半导体真空载片、真空腔体薄壁冲压件，对标 015sOFC、国标 C10200 OFC、C10300 OFHC 高纯无氧铜。核心特点：超低氧、低出气、无磷脱氧杂质、塑性极强、气密性优异，适配 0.01~1.2mm 超薄带蚀刻、拉伸、封接冲压，各类需要真空密封、低气体析出的电子真空元器件，兼顾真空引线与小型高纯导热衬片。

化学成分（原厂标准质量分数）

Cu+Ag ≥ 99.99%氧含量 ≤ 0.0012%（牌号命名核心指标，优于 015sOFC）无 P、Si、Sn、Ni、Fe 合金添加，无脱氧残留元素；全部金属、非金属杂质总含量 ≤ 0.0025%，无氧化夹杂、无成分偏析，晶格完整缺陷极少。强化机理：无合金强化相，依靠低氧、超低杂质维持连续完整导电导热晶格；极低氧从根源杜绝高温氢脆、真空下分解水汽与碳氧化物，纯铜本征塑性实现超薄深度拉伸、精密蚀刻不变形。

二、基础物理参数

密度：8.94 g/cm³弹性模量：123 GPa线膨胀系数：17.7×10⁻⁶/℃导电率：100.2～101.2 % IACS，接近纯铜理论导电上限热导率：402～408 W/(m・K)软化温度：220℃核心真空特性：出气速率极低，高温烘烤无杂质气体释放，封接气密性稳定；无磁性，不干扰真空检测、射频真空元器件信号。

三、12s 超薄系列轧制力学状态

1. O 软态（真空引线基材、超薄真空密封箔、电子管拉伸壳体、芯片真空散热薄衬片）抗拉 202～238 MPa，HV56～74，伸长率≥50%，可任意折弯、深度拉伸，0.01mm 超薄轧制无分层、橘皮缺陷，蚀刻尺寸无畸变。

2. 1/2H 半硬（真空法兰导电衬片、真空设备接地薄带、功率器件真空引线框）抗拉 258～308 MPa，HV84～104，伸长率≥24%，兼具轻度结构强度与折弯加工性能。

3. H 硬态（固定真空导电薄片、小型真空端子基底、真空屏蔽薄带）抗拉 342～388 MPa，HV118～138，伸长率≥11%，成型后不易形变，仅做固定导电结构，无弹性夹持能力。

四、12sOFC 核心优势

1. 氧含量 0.0012% 级，真空出气性能优于 015sOFC氧含量指标更低，腔体高温烘烤时释放气体更少，可维持超高真空稳定度，适配半导体镀膜、实验室高真空设备长期连续运行，不会污染真空腔内部件。

2. 真空封接无氢脆，焊接密封性可靠无氧无磷残留，真空钎焊、电子束焊、玻璃金属封接全程无气孔、裂纹，电子管、真空引线封接后长期不漏气，元器件使用寿命大幅提升。

3. s 系列专属低应力超薄轧制0.01~1.2mm 全厚度低内应力处理，冲压、蚀刻后无翘曲波浪，多引脚细密真空引线框架量产良率高，减少后续校平工序。

4. 表面超洁净，镀膜、电镀结合力极强轧制后真空级去油镜面表面，无氧化皮、油污，镀镍、镀金、镀银镀层致密不脱落，真空引线表面镀层长期真空环境不剥落。

5. 无有害合金杂质，高纯电子场景无干扰不含铁、镍、锡等合金元素，不会产生杂波、磁干扰，同时满足真空设备进出口洁净度检测标准。

五、供货规格（真空引线专用铜带）

厚度 0.01～1.2mm，分切宽度 2～340mm，厚度公差 ±0.001mm；真空级光亮去油表面；支持分条、定尺零切、覆膜防氧化、定制全软退火；配套超细圆棒 Φ1～45mm，用于真空插针、密封引线车削加工。

六、细分应用场景

1. 真空电子器件：电子管、X 射线管、光电倍增管真空封接引线、真空管内部导电引线；

2. 半导体真空设备：晶圆镀膜机超薄载片、小型溅射设备真空导电衬片、真空腔体薄壁冲压件；

3. 实验室超高真空仪器：真空管路连接薄片、检测仪器高纯接地带、低温真空导热连接件；

4. 特种精密元器件：射频真空腔体屏蔽箔、微型传感器真空密封引线、医疗影像真空设备导电基材。

七、同类材料替换对比

1. 015sOFC 无氧铜：氧含量≤0.0015%，出气量高于 12sOFC，仅普通音频、低真空设备使用，超高真空引线优先 12sOFC；

2. C10300 OFHC 高纯无氧铜：纯度指标与 12sOFC 接近，但无超薄低应力轧制工艺，超薄蚀刻件易变形，成本更高；

3. C12200 TP2 磷脱氧铜：含磷、氧含量高，真空高温释放杂质气体，存在氢脆，完全不能用于真空封接引线；

4. KLF194SHT 铜铁合金：导电偏低，含铁杂质会污染真空腔体，严禁真空器件使用；

5. KLF5/KLF85 铜镍硅合金：含镍硅合金元素，真空出气量大、杂质析出，不适合真空密封引线。