CW112C半导体端子欧标铜镍硅合金

欧标 EN1652/EN12165 沉淀硬化 CuNi3SiMg 系铜材，半导体分立器件端子、IC 引脚、精密贴片端子专用基材，纳米 Ni₂Si 析出强化，平衡高强、高导电、耐热抗松弛，无铍环保，全料规符合 RoHS、REACH、车规 ELV，现货带材 0.05～2.5mm、棒材 3～30mm。

一、化学成分 wt%（EN 内控标准）

Cu 余量；Ni2.7～3.5、Si0.60～0.95、Mg0.06～0.22；Fe≤0.18、Zn≤0.7、Pb＜0.005，杂质总含量≤0.35%；Mg 细化晶粒改善折弯与疲劳，Ni+Si 时效析出纳米强化相。

二、基础物理参数（20℃）

密度 8.81g/cm³；弹性模量 130GPa；导电率 44～51% IACS，热导率 182W/(m・K)；线膨胀系数 17.2×10⁻⁶/℃；基体软化温度 570℃，适配 260℃SMT 回流焊、半导体封装高温制程无蠕变变形。

三、半导体端子常用交货态力学（峰值时效料）

1/2H（R590｜IC 框架、贴片多引脚端子）

抗拉 640～720MPa，屈服 560～635MPa，伸长≥7.0%，HV200～230；小 R 精密折弯不开裂，高速蚀刻、连续冲压良率高，适配超薄半导体引脚成型。

H 全硬（R700｜功率半导体插脚、MOS 管弹性端子）

抗拉 750～840MPa，屈服 670～750MPa，伸长≥3.0%，HV240～275；百万次冷热交变弹力衰减＜7%，抗疲劳优于磷铜。

XH 超硬（R790｜大功率 IGBT 弹片端子，替代铍铜）

抗拉 850～920MPa，屈服 770～840MPa，伸长≥1.3%，HV285～315，低阻抗高弹力，降低半导体接触压降。

四、半导体端子五大核心优势

1. 高温低应力松弛：150℃千小时应力留存≥91%，芯片长期发热工况端子夹持力稳定，接触电阻无陡增。

2. 低阻高导热：导电优于普通磷铜，功率器件散热效率提升，缩减端子截面积实现器件小型化。

3. 蚀刻均匀性优异：金相致密晶粒细小，化学蚀刻侧壁平直无毛刺，精密窄距半导体引线量产优选。

4. 电镀附着力强：镀金、镀镍、镀锡不起泡起皮，封装塑封冷热循环镀层耐剥离，盐雾 480h 不锈蚀。

5. 精密冲压成型佳：超薄料 0.05mm 可深冲异形引脚，适配半导体自动化高速冲压产线。

五、牌号横向对标

六、细分应用场景

1. 功率半导体：IGBT 模块引出端子、MOSFET 贴片引脚、整流桥接线端子、可控硅电极插片；

2. 分立器件：三极管、二极管封装引线、TO 封装框架端子；

3. 车载半导体：BMS 芯片引脚、车载功率 IC 连接端子、新能源控制器半导体触片；

4. 工控微电子：电源 IC 贴片端子、继电器半导体动静触点。

七、半导体端子加工要点

1. 选用原厂时效料，冲压后去应力≤330℃，防止时效软化造成引脚弹力不足；

2. 超薄蚀刻端子优先 1/2H 态，模具间隙控制料厚 4.5%，严控断面毛刺避免器件短路；

3. 镀金端子电镀前 110℃低温去冲压内应力，规避封装温变引脚回弹偏移。