C10300真空元器件纯铜

C10300 为低磷脱氧型无氧铜，微量磷精准脱氧、超低氧、极低真空放气，是超高真空腔体、电真空器件、半导体镀膜设备导电冲压主力用料，性能优于 C10200、TU3，适配高温真空钎焊、玻璃封接严苛工况。

一、化学成分（wt%，美标管控）

Cu+Ag≥99.95；P：0.001~0.005%（20~50ppm 微量磷脱氧）；O≤0.001%；杂质总含量≤0.05%严控 Bi≤0.001%、Pb≤0.003%、Fe≤0.004%，无氧化物夹杂，从根源杜绝氢脆、高温释气问题。

二、基础物理参数

密度：8.94g/cm³；熔点 1083℃导电率：软态 96~98.5% IACS，电阻率 1.73~1.78μΩ・cm导热系数：385~390W/(m・K)线膨胀系数：17.7×10⁻⁶/℃真空关键：出气率＜2.5×10⁻⁹Pa・m³/s，适配超高真空 UHV 环境，腔体真空度长期稳定不衰减。

三、真空冲压常用三种供货状态（板 / 带 / 棒）

1. O 软态（全退火，深冲真空壳体、密封法兰、封接底座）抗拉 200~240MPa，屈服 50~70MPa，伸长≥33%，HV40~60；深拉、翻边、异形冲压不开裂，玻璃 - 铜封接基材。

2. 1/2H 半硬（Y2，真空电极、接线柱、腔体导电弹片）抗拉 270~340MPa，屈服 210~270MPa，伸长≥9%，HV82~105；成型刚性均衡，量产真空导电端子主流规格。

3. H 硬态（全硬，高压导电插片、真空灭弧紧固连接件）抗拉≥365MPa，屈服≥320MPa，伸长≥3%，HV118~132；抗挤压变形，大功率真空载流结构件专用。

四、真空用材核心优势

1. 低磷脱氧抗氢脆：微量磷固定氧，氢气高温钎焊、真空热处理无氢裂，相较普通 T2 彻底规避氢病失效；

2. 超低放气保真空：基体纯净无晶界氧化物，高温烘烤不析出气体，满足镀膜、电真空超高真空要求；

3. 封接焊接气密优：和可伐合金、不锈钢、硼硅玻璃浸润性佳，真空钎焊焊缝致密不漏气，电子管封接标配；

4. 精密冲压稳定性高：晶粒细密均匀，超薄料高速冲压毛刺少，异形真空配件连续量产良品率高；

5. 镀覆附着力优异：表面致密洁净，镀金 / 镍后镀层无起皮，射频真空元器件电镀优选基材。

五、全球牌号对标

美标：C10300（UNS）｜欧标：CW021A、Cu-HCP｜德标：2.0070、SE-Cu57｜国标：TU1（GB/T5231）

六、真空元器件细分应用

1. 电真空器件：磁控管电极、电子管引线、真空管密封基座、微波腔体导电件；

2. 半导体真空设备：PVD/CVD 镀膜机腔体冲压件、真空法兰、水冷导电座、真空引线端子；

3. 高压真空电气：真空灭弧室导电连接件、真空开关动静触头、大功率真空汇流排；

4. 科研低温真空：超导设备真空衬垫、粒子加速器真空导电配件、低温腔体密封垫片。

选型参考