二极管结温（Tj）测试核心是利用正向电压温度系数（-1.5~-2 mV/℃） 的电学法（Zui常用），辅以直接测温、红外、热阻法，覆盖稳态、瞬态场景。
一、电学法（标准shouxuan，JESD51、IEC61215）
原理：恒小电流下，Vf 随 Tj 线性下降，标定 K=ΔTj/ΔVf（℃/mV），测工作 Vf 反推 Tj。
1. 校准（K 因子标定）
设备：高低温箱、恒流源（1~10 mA，无自热）、纳伏表。
步骤：
二极管入温箱，稳定 30/50/70/90℃。
各温度点测 Vf，线性拟合：Vf = a·Tj + b。
得 K=1/a（约 - 0.5~-0.8 ℃/mV）。
2. 结温测量
稳态：通工作电流至热平衡，测 Vf，代入校准曲线求 Tj。
瞬态（脉冲法）：窄脉冲（<1 ms）测 Vf，避免自热，适合高频 / 功率二极管。
公式：Tj = T0 + (Vf0 − Vf)·K
T0/Vf0：参考温 / 压；Vf：工作电压。
热电偶法：细热电偶（φ0.1 mm）焊 / 粘芯片上表面，测壳温 Tc，结合热阻 Rth (j-c)：
Tj = Tc + P·Rth(j-c)
P=Vf・If（功耗）；Rth 查手册。
红外显微法：开盖（Decap），红外显微镜测结区温度（精度 ±0.5℃）。
测封装表面 Ts，按结构与热阻换算：
Tj = Ts + P·Rth(j-s)
适用：整板测温、热分布、无开盖场景。
双脉冲：先加热脉冲，再测小电流 Vf 瞬态响应，解卷积得热阻网络与 Tj。
标准：SJ 20788、IEC 60749。
表格
方法精度适用优点缺点
电学法（标准）中高（±1~2℃）全类型、量产非侵入、在线、标准需校准、开盖更准
热电偶高（±0.5℃）功率 / 高可靠直接、可靠侵入、影响散热
红外显微很高（±0.5℃）研发 / 失效直观、热分布需开盖、昂贵
红外热像中（±2~3℃）整板 / 系统快速、非接触换算误差、封装影响
标准：JESD51、IEC61215、GB/T 38621。
要点：
校准电流 **<10 mA**，无自热。
脉冲宽度 **<1 ms**，瞬态无热扩散。
热平衡：待 Vf 稳定（≥15 min）。
开盖（Decap）可消除封装误差。
校准：温箱 30~90℃，测 Vf→拟合 Vf-Tj 曲线。
测试：通工作电流至平衡，测 Vf→算 Tj。
验证：热电偶 / 红外比对，误差 < 2℃为合格。
二极管高压测试核心是测反向击穿电压（VBR）、反向漏电流（IR），并做长期耐压可靠性验证，确保在高压下不击穿、不漏电超标。
反向击穿电压（VBR / VRRM）
定义：反向偏置下，电流突然急剧增大（击穿）时的临界电压。
判定点：通常按规格书，以反向电流 = 1mA / 10mA时的电压为 VBR。
合格要求：实测 VBR ≥ 标称反向耐压（VRRM）。
反向漏电流（IR）
在额定反向电压（如 85%/ VRRM）、室温 / 高温下测反向电流。
硅高压二极管：一般nA～μA 级；超标表示绝缘 / 芯片缺陷。
高温反偏（HTRB）可靠性
条件：125℃/150℃ + 80%~95% VRRM，持续48~1000 小时。
目的：加速老化，验证长期耐压稳定性。
其他
温度循环：-55℃～150℃循环，测 VBR 漂移。
脉冲耐压：窄脉冲高压（μs 级），测瞬态耐压、避免热损坏。
正向特性：正向压降 VF、正向浪涌能力。
1. 直流阶梯升压法（标准）
设备：高压直流电源（kV 级）+ 微安表 / 皮安表 + 限流电阻。
步骤：
二极管反向接入（阳极负、阴极正）。
缓慢升压（如1% 步进），监测电流。
记录电流达到1mA/10mA时的电压 = VBR。
保持额定电压60s，确认 IR 不超标。
2. 脉冲测试法（大功率 / 高压）
用μs 级窄脉冲（≤100μs）施加高压。
优点：发热小、不易热击穿、适合大功率 / 超快管。
3. 简易现场判断（指针万用表）
指针表 ×10k 档（表内 9V～15V 电池）。
正向：有明显导通（几十 k～几百 k）。
反向：指针不动（无穷大）。
局限：只能粗判好坏，不能测 kV 级耐压。
国内：GB/T 1693、GB/T 19535（高压二极管）
国际：IEC 60747-2、JEDEC JESD282 / JESD22-A114
：MIL-STD-750
必须有限流电阻，防止击穿后大电流烧毁样品与设备。
高压端绝缘、屏蔽、接地，测试时禁止触碰。
测试后放电再接触。
VBR ≥ 标称 VRRM
室温 IR ≤ 规格值（如 **≤1μA@VRRM**）
HTRB 后：IR 无突变、VBR 下降＜5%
金属检测，高分子材料，国军标测试、gjb150可靠性检测、检测环境可靠性测试、汽车电子产品检测
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