高纯铜HPCu-1（GB/T 467-2021）电解铜箔超导电性半导体设备 高密度

HPCu-1（GB/T 467-2021） 是7N 级（99.99999%）超高纯电解铜，为半导体、超导电、高密度电子领域的国标铜材全国标准信息公共服务平台。以纯度、超低杂质、超导电性、超高密度、极低气释为核心优势，是晶圆溅射靶材、超薄电解铜箔、超导部件、半导体设备腔体的材料。

一、牌号与标准（GB/T 467-2021 新国标）

国标牌号：HPCu-1（7N 高纯铜）全国标准信息公共服务平台

旧标对照：原 HPCu-1（6N）现更名为HPCu-2全国标准信息公共服务平台

执行标准：GB/T 467-2021《阴极铜》（新增 7N 级高纯铜规范）全国标准信息公共服务平台

纯度等级：Cu ≥ 99.99999%（7N），杂质总和 ≤ 0.00001%（10ppb）全国标准信息公共服务平台

对标国际：对应 OFHC (C10100) 超高纯级、电子级 E-Cu57

二、化学成分（GB/T 467-2021，7N 级 HPCu-1）

Cu（铜）：≥ 99.99999%（7N，基体）全国标准信息公共服务平台

O（氧）：≤ 0.000005%（0.05ppm）（无氧级，超导 / 真空关键）全国标准信息公共服务平台

36 种受控杂质：

金属杂质（Fe、Pb、Zn、Ni、Sn、Sb、Bi、As 等）：单元素 ≤ 0.1ppb全国标准信息公共服务平台

气体杂质（H、N、C、S）：总和 ≤ 0.5ppb全国标准信息公共服务平台

放射性元素（Th、U）：≤ 0.001ppb（半导体 / 核工业级）全国标准信息公共服务平台

核心特性：无夹杂物、无气孔、晶粒均匀、组织超致密

三、核心性能（超导电 / 高密度 / 半导体级）1. 超导电性能（导电）

电导率：≥ 103% IACS（远超普通紫铜、无氧铜）

电阻率（20℃）：≤ 1.67×10⁻⁸ Ω·m（接近铜理论极限）

低温超导特性（4.2K）：电阻率 ≤ 2.3×10⁻¹² Ω·m（超导级）

电阻温度系数：极低，高温 / 低温下电阻稳定

2. 高密度与物理性能

密度：8.96 g/cm³（理论密度，超致密无疏松）

热导率：405 W/(m·K)（超高散热，半导体散热）

熔点：1084.5℃

晶粒尺寸：≤ 50μm（超细化，均匀稳定）

表面粗糙度：Ra ≤ 0.05μm（抛光级，适配半导体镀膜）

3. 半导体特殊性能

超低气释率：10⁻¹² Pa·m³/s（超高真空设备适用）

无放射性：Th/U ≤ 0.001ppb（芯片 / 晶圆无辐射污染）全国标准信息公共服务平台

高洁净度：表面无油污、无颗粒、无氧化（真空 / 电子级）

加工性：高延展性，可轧至0.003mm（3μm）超薄铜箔

四、产品形态（国标现货 / 定制）

电解阴极铜：GB/T 467-2021 标准阴极，7N 级原厂现货

电解铜箔：厚度 3μm – 105μm（超薄 / 超薄 / 标准），双面光 / 单面光

棒 / 板 / 带：

圆棒：Φ5 – Φ200mm（磨光 / 车光，公差 h8）

板材：厚度 0.5 – 50mm，宽度 100 – 1000mm

带材：厚度 0.05 – 2mm，宽度 5 – 300mm

溅射靶材：平面靶 / 旋转靶，Φ50 – Φ300mm（半导体晶圆镀膜）

真空部件：腔体、法兰、电极、导流件（按图纸定制）

五、核心应用领域（超导电 / 半导体 / 高密度）1. 半导体制造（核心刚需）

晶圆级溅射靶材：7nm/5nm/3nm 芯片 ** 铜互连（Cu Interconnect）** 镀膜

先进封装：**Cu 柱、凸点、重布线层（RDL）** 高密度互连

设备部件：刻蚀 / 沉积设备腔体、内衬、电极、屏蔽罩（超高真空、低气释）

检测设备：探针台、探针卡、高频测试座（超导电、低损耗）

2. 超导电与高端电子

超导设备：超导磁体、量子计算机、核磁共振（MRI）射频线圈

高频 / 微波：5G/6G 毫米波、雷达波导、卫星通信（超低信号衰减）

高密度 PCB：AI 服务器、HPC、高速背板（3–6μm 超薄铜箔，高密度布线）

锂电池 / 储能：4.5–8μm 超薄锂电铜箔（高能量密度、低内阻）

3. 特殊工业与科研

航空航天：高可靠导电件、热交换器、真空舱部件

核工业：核反应堆控制部件、辐射屏蔽（低放射性）

科研实验室：标准样品、超导实验、精密仪器导电组件

六、供应与品质保障

国标现货：**GB/T 467-2021 HPCu-1（7N）** 阴极、铜箔、棒板常备现货

材质证明：提供原厂质保书、36 项杂质检测、电导率 / 电阻率报告

定制加工：超薄铜箔、精密靶材、真空腔体、异形件按图定制

包装：真空密封 + 充氩保护 + 防静电包装（防氧化、防污染）

七、选型要点

需求：7N 超高纯 + 超导电 + 高密度 + 半导体级 + GB/T 467-2021 国标 → HPCu-1 

替代：普通无氧铜（TU1/TU2，纯度不足）、6N 铜（HPCu-2，杂质偏高）