铝碳化硅，IGBT封装基板，铝碳化硅基板

                 alsic（铝碳化硅）是sic（碳化硅）与al（铝）结合起来的一种陶瓷碳化硅颗粒增强铝基复合材料（又称铝渗碳化硅），是在真空环境下通过压力将铝液渗入碳化硅预制型中浸渗而得。其既有陶瓷的性质，又有金属的性质，与其他电子封装材料比较起来有明显的优势，概括起来就是“三高三低”，即高导热、高强度、高耐磨、低膨胀、低密度、低成本。

alsic 具有高导热率（180～240 w/m.k）和可调的热膨胀系数（6.5～9.5×10-6/k），一方面 alsic 的热膨胀系数与半导体芯片和陶瓷基片实现良好的匹配，能够防止疲劳失效的产生,甚至可以将功率芯片直接安装到alsic基板上,另一方面 alsic 的热导率是一般封装材料的十倍，芯片产生的热量可以及时散发。这样，整个元器件的可靠性和稳定性大大提高。