上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 40
- 供应商
- 伯东企业(上海)有限公司
- 认证
- 品牌
- KRI
- 型号
- RFICP 40
- 联系电话
- 021-50463511
- 手机号
- 13918837267
- 联系人
- 叶小姐
- 所在地
- ec@hakuto-vacuum.cn
- 更新时间
- 2023-11-03 16:27
kri 射频离子源 rficp 40
上海伯东代理美国原装进口 kri 射频离子源 rficp 40 : 目前 kri 射频离子源 rficp 系列尺寸*小, 低成本高效离子源.适用于集成在小型的真空腔体内. 离子源 rficp40 设计采用创新的栅极技术用于研发和开发应用. 离子源 rficp40 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的工业应用. 标准配置下 rficp 40 离子能量范围 100 至1200ev, 离子电流可以超过 120 ma.
射频离子源 rficp 40 特性:
1. 离子源放电腔 discharge chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长.
2. 离子源结构模块化设计, 使用更简单; 基座可调节, 优化蚀刻率和均匀性.
3. 提供聚焦, 发散, 平行的离子束
4. 离子源自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行
5. 栅极材质钼和石墨,坚固耐用
6. 离子源中和器 neutralizer, 测量和控制电子发射,确保电荷中性
kri 射频离子源 rficp 40 技术参数:
型号 | rficp 40 |
discharge 阳极 | rf 射频 |
离子束流 | >100 ma |
离子动能 | 100-1200 v |
栅极直径 | 4 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 3-10 sccm |
通气 | ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m torr |
长度 | 12.7 cm |
直径 | 13.5 cm |
中和器 | lfn 2000 |
kri 射频离子源 rficp 40 应用领域：
预清洗
表面改性
辅助镀膜 (光学镀膜 ) ibad,
溅镀和蒸发镀膜 pc
离子溅射沉积和多层结构 ibsd
离子蚀刻 ibe
1978 年 dr. kaufman 博士在美国创立 kaufman & robinson, inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 pc, 离子蚀刻 ibe, 辅助镀膜 ibad, 离子溅射镀膜 ibsd 领域,上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗女士
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