上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 100
- 供应商
- 伯东企业(上海)有限公司
- 认证
- 品牌
- KRI
- 型号
- RFICP 100
- 产地
- 美国
- 联系电话
- 021-50463511
- 手机号
- 13918837267
- 联系人
- 叶小姐
- 所在地
- ec@hakuto-vacuum.cn
- 更新时间
- 2023-11-09 15:23
kri 射频离子源 rficp 100
上海伯东代理美国原装进口 kri 考夫曼型离子源 rficp100 紧凑设计, 适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 >400 ma 离子流. 考夫曼型离子源 rficp100 源直径19cm 安装在10”cf 法兰, 在离子溅镀时, 离子源配有离子光学元件,可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 在离子刻蚀工艺中, 离子源与离子光学配合, 蚀刻更均匀. 标准配置下rficp 100 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以达到 400 ma.
kri 射频离子源 rficp 100 技术参数
阳极 | 电感耦合等离子体 |
*大阳极功率 | 600w |
*大离子束流 | > 300ma |
电压范围 | 100-1200v |
离子束动能 | 100-1200ev |
气体 | ar, o2, n2,其他 |
流量 | 5-20 sccm |
压力 | < 0.5mtorr |
离子光学, 自对准 | optibeamtm |
离子束栅极 | 10cm Φ |
栅极材质 | 钼, 石墨 |
离子束流形状 | 平行,聚焦,散射 |
中和器 | lfn 2000 |
高度 | 23.5 cm |
直径 | 19.1 cm |
锁紧安装法兰 | 10”cf |
kri 射频离子源 rficp 100 应用领域
预清洗
表面改性
辅助镀膜(光学镀膜) ibad,
溅镀和蒸发镀膜 pc
离子溅射沉积和多层结构 ibsd
离子蚀刻 ibe
客户案例: 超高真空离子刻蚀机 ibe, 真空度 5e-10 torr, 系统配置如下
美国kri 射频离子源 rficp 100
美国hva 真空闸阀
德国pfeiffer 分子泵 hipace 2300
1978 年 dr. kaufman 博士在美国创立 kaufman & robinson, inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 pc, 离子蚀刻 ibe, 辅助镀膜 ibad, 离子溅射镀膜 ibsd 领域,上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
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上海伯东: 罗女士