SU-8 3000高透光率 光刻胶 PMGI SF 11

sx ar-pc 5000/80 聚酰亚胺光刻胶，不含光敏物质 热稳定性光刻胶，在400℃时仍然很稳定。不含光敏物质，但是可以和正胶配 合使用，通过双层工艺来制作图形。可以用于制作传感器材料、保护层及绝缘 层。 sxar-pc 5000/82 聚酰亚胺光刻胶，紫外正胶 热稳定性光刻胶，正胶，在 400℃时仍然很稳定。具有良好的耐等离子刻蚀性能，可用于离子注入工艺。 x ar-p 5800/7 深紫外曝光胶，正胶 深紫外曝光（248 - 265 nm 和 300 - 450nm），在这个波长范围内，光刻胶的 透射率高。耐刻蚀性能好。适合接触曝光，曝光过程中，产生的氮气少，可以 提高图形质量。 sxar-p 3500/6 全息曝光用胶，正胶 在长波段具有很好的灵敏度，敏感波段为（308  500nm），主要用于全息曝光工艺。 sx ar-n 4800/16 有机溶剂显影光刻胶（用于无水环境），负胶 基于 pmma 的负胶，曝光波长 230 365nm。主要用于工艺中衬底材料对水敏 感，需要无水环境操作的情况。采用有机溶剂显影