§扩散炉主要满足半导体电力电子器件行业、大功率集成电路等行业，对所加工硅片进行扩散、氧化、退火、合金等工艺。主要由扩散炉加热炉体、气源系统、控制系统、超净化操作系统等组成。选用工控机微控方式或者程控方式操作。
主要技术指标：
§★可处理硅片尺寸：2—8英寸
★外型形式：卧式1—4管结构
★工作温度：200℃—1300℃
§★恒温区长度及精度：200mm—1100mm≤±0.5℃
★单点温度稳定性、重复性：≤±0.5℃／24h
§★温度斜变：可控升温速率20℃／min，
★可控降温速率：5℃／min
§★送片装置：全自动悬臂推拉舟、拉杆是推拉舟、手动推拉
★气路系统：1—5路工艺气体／管
§★气体控制：全自动mfc、手动浮子流量计
★控制方式：工控机、触摸屏