台塑与日本大赛璐合资建厂，2028年量产EUV光刻胶稀释剂

台塑集团（股票代码：1301.TW）与日本大賽璐株式会社（Daicel Corporation）正式成立合资公司“台塑大賽璐精密化学股份有限公司”，在中国台湾高雄仁武工业区建设电子级光刻胶稀释剂生产基地。项目总投资23.9亿新台币（约合120亿日元），初期实缴资本8亿新台币（约40亿日元），双方各出资50%，计划2028年9月完成设备安装，同年12月实现量产，产品将直接面向台积电、联电等本地晶圆厂供应。

该工厂聚焦极端紫外光（EUV）光刻工艺所需的高纯度稀释剂，核心原料为PGME/PGMEA（丙二醇单甲醚/丙二醇单甲醚醋酸酯）。大賽璐自1979年起量产PGME/PGMEA，目前在全球半导体光刻胶稀释剂市场占有率超60%，其EUV等级产品已通过台积电等头部代工厂验证并批量采用。此次合作并非简单代工，而是将大賽璐的EUV级提纯工艺、杂质控制技术（金属离子含量＜10ppt、颗粒数＜1个/mL）与台塑在仁武园区成熟的公用工程（双回路供电、超纯水系统、氮气/氩气管道网络）、原料物流及危化品仓储能力深度整合，构建“本地研发—本地生产—本地交付”的闭环供应链。

中国台湾电子级光刻胶稀释剂供需缺口持续扩大：2025年预计需求11.3万吨，本土供应仅约10万吨，缺口1.3万吨主要依赖进口工业级产品经本地精制后补足——此类二次加工存在批次稳定性差、金属残留波动大、认证周期长等问题，影响先进制程良率。当前中国台湾仅有胜一（1773.TW）和长春集团两家本土供应商，台塑大賽璐将成为第三家具备EUV等级量产能力的电子级化学品厂商。按台塑内部评估，2030年中国台湾该品类需求将达26.7万吨，年复合增长率18.8%，远高于全球平均增速（约11%）。

EUV级稀释剂对产线的实际约束

不同于成熟制程使用的工业级PGMEA，EUV光刻胶稀释剂需满足三项硬性门槛：一是金属杂质总量（Na、K、Fe、Ni等）低于10 ppt（万亿分之一），否则引发光罩污染或晶圆表面缺陷；二是颗粒尺寸＞50nm的悬浮物密度须＜1个/mL，否则导致曝光镜头损伤；三是批次间粘度、沸点、水分含量变异系数（CV值）须控制在±0.3%以内，否则影响涂布均匀性。这些指标直接关联28nm以下逻辑芯片及HBM堆叠工艺的良率稳定性。目前中国台湾晶圆厂采购此类材料仍高度依赖日本进口，平均交货周期45天，紧急订单加急费高达基础价30%。台塑大賽璐本地化投产后，可将交付周期压缩至7–10个工作日，并支持VMI（供应商管理库存）模式，降低客户安全库存压力。

对中国大陆采购与替代方案的现实参考

中国大陆晶圆厂同样面临EUV级稀释剂进口依赖问题，主要供应商为大賽璐、三菱瓦斯化学（MGC）及德国巴斯夫（BASF）。台塑大賽璐高雄工厂虽不直接向大陆供货，但其技术路径具有明确参照价值：一是验证了国产超纯溶剂提纯工艺中“多级分子蒸馏+低温吸附+在线激光粒子计数”组合路线的可行性；二是表明本地化配套需同步建设特气供应、超纯水再生、废液闭环处理等基础设施——这正是宁波、合肥、武汉等地新建半导体材料产业园正在强化的环节。对大陆设备商而言，该工厂采用的全封闭式充填系统（避免空气接触）、无菌级不锈钢管道（EP级抛光）、以及符合SEMI F57标准的包装桶清洗线，均为国产高纯化学品产线升级提供了具体对标参数。

• 核对项：确认供应商是否具备SEMI C22（电子级化学品）及ISO 14644-1 Class 5洁净灌装认证
• 核对项：要求提供近3批次ICP-MS检测报告，重点核查Al、Cu、Ti元素残留量
• 核对项：评估其包装桶内壁钝化处理工艺（如硅烷涂层）对长期储存稳定性的影响

仁武厂区的选择凸显台塑对化工项目落地成本的精细化测算：该区域已有现成的氯碱产业链（可就近获取高纯、氢气）、双回路220kV变电站（保障连续供电）、以及符合环保署《半导体制造业水污染防治技术指引》的废水预处理设施。对大陆同行而言，这意味着同类项目选址不应仅关注土地价格，更需前置评估上游原料供应半径、危化品运输通道合规性、以及地方政府对超纯化学品项目的环评审批经验——例如江苏南通、广东江门等地已建立半导体专用危废处置中心，可显著缩短建厂周期。台塑此次布局并非孤立动作，而是其30个高附加值转型项目之一，同步推进电子级氨水、氢气、等配套化学品开发，目标是2030年前形成覆盖前驱体、湿电子化学品、特种气体的完整半导体材料供应矩阵。