台积电研发类EMIB封装技术应对客户流失

台积电正与中国台湾IC基板制造商金像公司（Kinsus）合作，开发一种类似英特尔嵌入式多芯片互连桥（EMIB）的先进封装技术，以应对当前CoWoS产能压力及潜在客户流失风险。据《信息》（The Information）援引TechPowerUp报道，该技术内部代号为“EMIB-like”，目标是通过降低封装成本与面积开销，提升高带宽芯片设计的灵活性，避免客户因性能或成本因素转向英特尔的EMIB平台。

目前，台积电的CoWoS系列包括CoWoS-S、CoWoS-L和CoWoS-R三种型号，广泛用于英伟达、谷歌等客户的高性能计算芯片。其中，谷歌已采用CoWoS-S用于早期TPU，后升级至CoWoS-L以支持第七、八代TPU，并实现Zui大达5.5倍光刻掩模尺寸的封装规模。然而，有分析指出，谷歌可能在第九代TPU中考虑转向英特尔的EMIB-T方案，这促使台积电加速推进类EMIB技术的研发。

英特尔的EMIB技术核心在于将硅桥直接嵌入封装基板，实现局部高密度的芯片间互连，无需使用全尺寸硅中介层，从而节省空间并降低成本。该技术提供两种配置：EMIB-M集成MIM电容，适用于电源去耦；EMIB-T则集成TSV（硅通孔），支持更高带宽逻辑-逻辑及逻辑-HBM连接。根据英特尔财报电话会议内容，CEO Lip-Bu Tan表示EMIB-T需求持续旺盛，公司已建立可观订单 backlog，正全力推进2027年量产爬坡。

与此同时，中国台湾另一大基板厂商联电（Unimicron）正同时为英特尔和台积电供应ABF基板。据《自由时报》报道，英特尔下一代EMIB-T用基板预计将于明年进入量产，初期良率目标为50%，后续逐步提升。Next Apple援引联电消息称，EMIB-T仍属新兴技术，公司正联合两家日本合作伙伴加快工艺优化，以确保稳定交付。

从产业链角度看，该动向凸显先进封装环节已成为半导体竞争的关键战场。台积电虽在CoWoS上具备先发优势，但其依赖硅中介层的架构存在成本高、良率波动大等问题。相比之下，EMIB采用更轻量化的硅桥结构，更适合中小型高带宽芯片模块，尤其在AI推理、数据中心加速器等场景中更具成本效益。对于中国采购商而言，若未来台积电推出成熟类EMIB方案，可作为替代传统CoWoS的选项，尤其在需控制封装面积与功耗的应用中值得关注。

在供应链层面，基板材料（如ABF）的供应能力直接影响封装技术落地速度。目前，联电已同时布局英特尔与台积电的基板订单，表明其具备跨平台供货能力。这意味着中国厂商在选择封装方案时，不仅需关注芯片设计端，也应评估基板供应商的产能弹性与技术适配性。此外，由于EMIB-T仍处于早期量产阶段，初期良率偏低，实际交付周期可能较长，建议客户在项目规划中预留缓冲时间。

对国内工程商与渠道商而言，该技术动态提示需密切关注台积电未来是否公开其类EMIB技术的参数标准、兼容性要求及认证路径。一旦推出，相关设备、测试夹具、热管理方案等配套环节或将迎来更新迭代。同时，若台积电Zui终采用与英特尔相似的硅桥集成方式，可能推动国内基板厂在硅桥制造、激光钻孔、金属化工艺等方面的技术突破，形成新的国产替代机会点。