SK keyfoundry量产车载IC电磁兼容保护技术

韩国SK keyfoundry公司宣布其基于双向硅控整流器（Bi-SCR）的片上电磁兼容（EMC）保护技术已进入大规模量产阶段。该技术应用于其0.13微米BCD工艺平台，用于提升汽车半导体器件在复杂电气环境下的抗干扰能力，尤其满足ISO 10605等汽车电子标准对持续性电应力的耐受要求。这一进展标志着车载功率集成电路在系统级EMC防护方面实现关键突破。

传统静电放电（ESD）保护器件主要针对芯片制造与封装过程中的瞬时高压脉冲，难以应对车辆运行中持续存在的电磁干扰。而新推出的Bi-SCR结构具备双向导通能力，可在正负半周均实现电流控制，适用于交流信号环境。相比单向晶闸管，该设计能更有效地抑制由人体活动、开关操作或电源波动引发的连续性电磁应力，显著增强芯片在真实驾驶场景下的稳定性。

该技术集成于SK keyfoundry的0.13μm BCD工艺平台，该平台将双极型晶体管（Bipolar）、互补金属氧化物半导体（CMOS）与功率型DMOS晶体管整合在同一硅片上，支持模拟、数字与功率电路的高密度集成。通过优化触发电压调节灵活性和大电流承载能力，Bi-SCR结构在有限面积内实现了高效保护，避免了以往依赖外部瞬态电压抑制（TVS）二极管的设计方案，从而降低系统体积与成本，提高整体集成度。

对于中国采购商与系统集成商而言，该技术意味着车载电源管理芯片（PMIC）、电机驱动器及电力控制IC在选型时可优先考虑具备片上EMC保护能力的产品。此类芯片在整车厂进行EMC测试时，通过率更高，故障率更低，有助于缩短产品认证周期。同时，由于无需额外配置外部保护元件，系统布线更简洁，维护成本下降，尤其适合空间受限的新能源汽车电池管理系统（BMS）与车载充电机（OBC）等应用。

值得注意的是，SK keyfoundry此前已完成1200V级碳化硅（SiC）平面MOSFET工艺平台开发，并已获得某未披露客户关于1200V SiC MOSFET产品的研发订单。预计2027年上半年将启动全规模量产。这表明该公司正加速布局下一代宽禁带半导体领域，未来可能提供从传统硅基到SiC的全系列高电压功率器件制造服务。对中国厂商而言，若计划拓展高端车规级功率模块供应链，可关注其在高电压、高可靠性工艺平台上的产能释放节奏与客户验证进展。

从产业链角度看，该技术处于汽车半导体制造的中游环节——即晶圆代工与工艺平台层。其核心价值在于为下游客户提供“免外部保护”的高集成解决方案，推动整车厂减少元器件数量、简化PCBA设计。对于中国本土代工厂或IDM企业，若希望提升自身车规芯片的系统级鲁棒性，可参考该技术路径，在自研BCD工艺中引入类似片上EMC保护架构，以增强产品竞争力。