中东冲突致关键材料短缺，极紫外光刻工艺面临长期风险

由美国和以色列对伊朗发动攻击引发的中东冲突，其持续时间已超出市场预期。受霍尔木兹海峡通行限制影响，不仅原油价格波动，半导体生产不可或缺的氦气等关键材料也出现滞销和短缺迹象。索尼、铠侠（Kioxia）等日本半导体巨头虽表示“目前采购无碍”，但若冲突长期化，局势恐将急转直下。特别是用于制造先进AI芯片的极紫外光刻（EUV）工艺所需材料，不仅替代难度极大，且无法长期储存，迫使业界重新审视供应链安全。

光刻胶等电子材料面临严峻供应挑战

尽管包装薄膜和印刷油墨的短缺与涨价屡见报端，但对支撑AI社会的先进半导体影响更为深远。源自石脑油的感光抗蚀剂（Photoresist）、溶剂及成膜材料等电子材料不仅价格飙升，若进一步陷入采购困境，其影响将远超DRAM芯片短缺。

尤其是用于智能手机和数据中心CPU、GPU生产的EUV光刻材料，前景不容乐观。由于日本本土缺乏采用EUV工艺的大规模量产工厂，目前看似“暂无影响”，但正在扩大次世代制程量产的台积电（TSMC）、三星电子及英特尔不得不未雨绸缪。

EUV工艺材料具有高度定制化特征，无法像普通商品包装那样随意切换供应商。例如，由日本企业主导市场的EUV光刻胶需使用多种特殊药液，即便仅替换其中一种成分，也可能导致长达一年的产品变更通知（PCN）周期。

业绩优异的东京应化工业（Tokyo Ohka Kogyo）表示，2026财年第一季度，其EUV与ArF（氟化氩）光刻胶销售占比已达40%，得益于采购渠道多元化，目前暂无材料焦虑。然而，上游原材料供应商处境更为艰难。

为多家光刻胶厂商提供药液的东洋合成工业指出，虽然当前供应稳定，但将成本上涨转嫁给客户成为关键议题。由于石脑油衍生物原料价格涨幅因品类而异，该公司正通过多元化采购和优化库存管理来应对。

氦气短缺与EUV工艺的高能耗瓶颈

EUV工艺大量消耗源自天然气的氦气。为产生波长13.5纳米的EUV光，需利用激光照射锡液滴至30万摄氏度以上的等离子体状态（LPP法）。这一过程耗电巨大且发热严重，冷却需依赖海量氦气。荷兰阿斯麦（ASML）计划将光源输出功率从600瓦提升至1000瓦，这将进一步加剧对电力和氦气的需求。

日本主要从美国和卡塔尔进口氦气。日本酸素控股（Nippon Sanso Holdings）表示，来自未受冲突影响的美国的供应目前并未感到紧缺，但公司优先保障现有客户稳定供应，无暇拓展新客户。由于氦气分子小易泄漏，即便使用专用容器，保存期限也仅数周。

日本经济产业省曾于4月宣布将中断的中东来源氦气切换为美国来源，但其实际执行效果仍待观察。半导体行业对药液和氦气缺乏合适替代品，且难以长期囤积，这构成了供应链的致命瓶颈。

全球晶圆厂构建韧性供应链

若中东冲突持续，拥有EUV生产线的制造商将面临严峻考验。台积电在2026财年第一季度的财报会议上提及，部分化学品和气体价格上涨可能影响收益，但公司已建立多元化的供应商基础。通过从全球各地采购含氦气和氢气的特殊化学品及材料气体，并储备充足库存，加之与台湾电力公司及政府合作确保能源供应，预计短期内运营不会受到重大干扰。

此次中东冲突恰逢AI投资快速扩张期，其负面影响被进一步放大。日本方面，美光科技（Micron Technology）、台积电熊本工厂以及Rapidus均在筹备引入EUV工艺。这场危机将成为检验和强化全球半导体供应链韧性的关键试金石。