日本SAMCO获澳洲大学原子层刻蚀设备订单

日本京都半导体设备制造商SAMCO（三木公司）近日宣布，其原子层刻蚀（ALE）装置“RIE-400iP-ALE”成功获得澳大利亚阿德莱德大学的订单。据英国专业媒体《Compound Semiconductor》报道，这标志着原子层刻蚀技术首次正式引入澳大利亚，将极大推动当地在第三代半导体领域的研发进程。

该设备专为化合物半导体设计，支持GaN、GaAs、InP等III-V族材料的诱导耦合等离子体反应离子刻蚀（ICP-RIE）及原子层刻蚀。其核心优势在于能够实现原子级别的去除，有效控制刻蚀深度与均匀性，并显著降低表面损伤。这些特性对于制造下一代纳米级电子器件和光子器件至关重要，为高精度量子材料和器件的制备提供了关键硬件支撑。

该订单通过SAMCO在澳大利亚的代理商Ezzi Vision达成，设备计划于2025年12月从京都工厂发货，并将在阿德莱德大学新成立的“量子材料与器件制造实验室”中部署。该实验室依托该校在物理学和材料科学领域的深厚积累，旨在打造澳洲首个原子层刻蚀设施。阿德莱德大学光子学与先进传感研究所（IPAS）的安迪·博斯教授对此表示，这一设施的建立是澳洲研究社区的重大突破。

值得注意的是，为支持该“国立原子层刻蚀设施”的建设，澳大利亚研究委员会（ARC）旗下的“链接基础设施、设备和设施”（LIEF）项目提供了约66万澳元的资金支持。这一举措不仅提升了澳洲在量子技术、光子学和纳米电子学领域的加工能力，更将加速跨学科合作，巩固其在全球半导体与光子学研究版图中的竞争地位。

对于中国半导体行业而言，这一案例凸显了原子层刻蚀技术在高端化合物半导体研发中的战略价值，也预示着全球科研基础设施正加速向原子级精度制造升级，国内相关设备厂商应密切关注此类前沿应用需求，以把握下一代技术迭代的先机。