无锡市纳微电子有限公司

简介

基本资料

变更记录

知识产权

无锡市纳微电子有限公司是一家电子元器件的企业，是经国家相关部门批准注册的企业。主营传感器芯片、硅片、玻璃片、ASIC芯片，公司位于中国江苏无锡市无锡新区岷山路5号。无锡市纳微电子有限公司本着“客户第一，诚信至上”的原则，与多家企业建立了长期的合作关系。热诚欢迎各界朋友前来参观、考察、洽谈业务。

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法人名称: 无锡市纳微电子有限公司
主营产品: 传感器芯片 , 硅片 , 玻璃片 , ASIC芯片
经营范围: 电子元器件、传感器、纳米材料、汽车电子产品的研发、生产和销售；自营各类商品和技术的进出口业务，但国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
营业执照: 91320214670140010Q
核准日期: 2016-04-12 00:00:00
经营期限: 十年
经营状态: 在业
法人代表: 奎建明
成立时间: 2007年12月25日
职员人数: 50人
注册资本: 787.5万元人民币 (万元)
公司官网: http://www.n-mems.co
所属分类: 半导体材料公司

纳微电子的股东

股东名字出资比例出资额

淮安中德物联网智能传感器产业投资中心（有限合伙）262.5

奎建明186

无锡金茂二号新兴产业创业投资企业（有限合伙）112.5

无锡市生产力促进中心（无锡市对外科技交流中心）112.5

南京爱德创业投资有限公司75

无锡新区领航创业投资有限公司30

都有为9

纳微电子的管理人员

名字职务

李勃董事

都有为董事长

奎建明董事

奎建明总经理

姚爱民董事

段小光董事

王栋监事

徐凯监事

纳微电子的工商变更记录

股东变更南京爱德创业投资有限公司,都有为,奎建明,无锡新区领航创业投资有限公司,无锡金茂二号新兴产业创业投资企业（有限合伙）,无锡市生产力促进中心（无锡市对外科技交流中心）,淮安中德物联网智能传感器产业投资中心（有限合伙）南京爱德创业投资有限公司,都有为,奎建明,无锡新区领航创业投资有限公司,无锡金茂二号新兴产业创业投资企业（有限合伙）,无锡市生产力促进中心（无锡市对外科技交流中心）2016-04-12

股东变更南京爱德创业投资有限公司都有为奎建明无锡新区领航创业投资有限公司无锡金茂二号新兴产业创业投资企业（有限合伙）无锡市生产力促进中心（无锡市对外科技交流中心）淮安中德物联网智能传感器产业投资中心（有限合伙） [新增]南京爱德创业投资有限公司都有为奎建明无锡新区领航创业投资有限公司无锡金茂二号新兴产业创业投资企业（有限合伙）无锡市生产力促进中心（无锡市对外科技交流中心）2016-04-12

注册资本变更787.500000（ + 50% ）525.0000002016-04-12

注册资本变更787.500000525.0000002016-04-12

经营范围电子元器件、传感器、纳米材料、汽车电子产品的研发、生产和销售；自营各类商品和技术的进出口业务，但国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）电子元器件、纳米材料、光电器件的研发、销售；自营各类商品和技术的进出口业务，但国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外。 **（上述经营范围中涉及行政许可的，经许可后方可经营；涉及专项审批的，经批准后方可经营）**2015-06-03

纳微电子的专利证书

CN101329361A发明公布2008-12-24兼有测量压强、温度变化功能的微型硅加速度计及其加工方法沈绍群

CN101289160B发明授权2011-08-240-100Pa单片硅基SOI高温低漂移微压传感器及其加工方法沈绍群

CN101290949A发明公布2008-10-22纳米硅肖特基二极管基本电气元件王树娟;何宇亮

CN101509752A发明公布2009-08-19一种改良的非接触式位移测量方法及使用该方法的传感器测量；测试王磊

CN101290255A发明公布2008-10-220－50pa单片硅基SOI超低微压传感器及其加工方法沈绍群

CN101325223A发明公布2008-12-17纳米硅变容二极管及其加工方法基本电气元件王树娟;何宇亮

CN101832831A发明公布2010-09-15一种压阻传感器芯片及其制作方法沈绍群;王树娟;周刚;陈会林

CN101290952A发明公布2008-10-22一种叠层高效纳米硅薄膜太阳能电池基本电气元件王树娟;何宇亮

CN101776501B发明授权2014-08-06一种MEMS压力敏感芯片及其制作方法王树娟;周刚;陈晓亮;陈会林;郭玉刚

CN201716136U实用新型2011-01-19一种MEMS压力敏感芯片测量；测试沈绍群;周刚;王树娟;郭玉刚

CN201397316Y实用新型2010-02-03一种改进型隧道结生物传感器测量；测试王磊

CN101776501A发明公布2010-07-14一种MEMS压力敏感芯片及其制作方法王树娟;周刚;陈晓亮;陈会林;郭玉刚

CN103604556A发明公布2014-02-26一种流体压力传感器测量；测试王进朝;柳东强;郭玉刚;封玉军

CN103580647A发明公布2014-02-12一种滤波器结构基本电子电路菅端端;封玉军

CN101520350A发明公布2009-09-02一种改良型高灵敏度微压力传感器芯片制作工艺王树娟;何宇亮

CN101290255B发明授权2011-08-240-50Pa单片硅基SOI超低微压传感器的制备方法沈绍群

CN101825505A发明公布2010-09-08一种MEMS压力敏感芯片及其制作方法沈绍群;周刚;王树娟;郭玉刚

CN101825505B发明授权2015-02-18一种MEMS压力敏感芯片及其制作方法沈绍群;周刚;王树娟;郭玉刚

CN101289160A发明公布2008-10-220－100pa单片硅基SOI高温低漂移微压传感器及其加工方法沈绍群

CN201397126Y实用新型2010-02-03一种改良的非接触式位移传感器测量；测试王磊

简称: 纳微电子
联系电话: 86-510-85225558
联系人: 未提供
手机号码: 未提供
电子邮件: wliu@n-mems.com
顺企采购: 请卖家联系我
传真号码: 86-510-85226239
公司地址: 无锡市清源路20号立业楼E105

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