上海宏力半导体制造有限公司
  • 简介
  • 基本资料
  • 知识产权
  • 上海宏力半导体有限公司(宏力半导体)是一家专业半导体代工厂,致力于提供高品质服务和先进增值技术,包括嵌入式非挥发性记忆体、高压、低漏电工艺等。公司于2003年投产,一直是业内成长快的公司之一。公司位于上海浦东张江高科技园区,员工超过1,600人。上海联和投资有限公司、香港长江实业及和记黄埔是宏力半导体的主要投资方。其他主要投资方还包括美国超捷,日本叁洋,及私募资金湛思国际和UCLAsia。使命在差异化科技领域,致力于成为可信赖的晶圆代工伙伴。经营理念专注于半导体制造本业,建设稳定、的基础设施和营运系统,力求技术研发和生产经营的不断超越。以客户需求为导向,通过与上下游企业的战略合作,为客户提供充分有效、便捷完善的服务。核心价值观·客户导向·学习创新·节简高效·和谐互容·无缝合作·信任共勉宏力热烈欢迎热爱工作,不断追求技术精进,有成长激情,愿与团队共同前进的人才加盟。

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    法人名称
    上海宏力半导体制造有限公司
    主营产品
    集成电路有关的硅片制造 , 针测 , 包装及测试 , 集成电路有关的开发 , 设计 , 光掩膜制作 , 制造 , 测试 , 封装等全系列服务 , 销售自产产品。
    经营范围
    集成电路有关的硅片制造、针测、包装及测试,集成电路有关的开发、设计、光掩膜制作、制造、测试、封装等全系列服务,销售自产产品。【依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动】
    营业执照
    310000400253443
    核准日期
    2000-12-20 00:00:00
    经营期限
    十年
    经营状态
    在业
    法人代表
    傅文彪
    成立时间
    2000年12月20日
    职员人数
    未公开
    注册资本
    90000.000000万美元 (万元)
    公司官网
    http://www.gracesemi.com
    所属分类
    集成电路厂黄页
    宏力半导体的管理人员
    名字职务
    傅文彪董事长
    GANESH MOORTHY董事
    黄大光董事
    GEORGE JING-SHENG GAU监事
    叶峻董事
    王文洋董事
    宏力半导体的专利证书
    CN101692451A发明公布2010-04-07共享字线的基于多晶硅浮栅的分栅式闪存曹子贵;孔蔚然;张博;张雄;顾靖
    CN103065668A发明公布2013-04-24存储器及其读取方法信息存储肖军
    CN101740120A发明公布2010-06-16一种共享字线的分栅式闪存的编程方法信息存储顾靖;胡剑;孔蔚然;张博;吴小利
    CN102254949A发明公布2011-11-23绝缘体上硅MOS晶体管结构基本电气元件蒙飞
    CN102148057A发明公布2011-08-10SRAM单元、SRAM存储器信息存储胡剑
    CN1282246C发明授权2006-10-25可阻断寄生损失电流的高功率射频集成电路及其制造方法基本电气元件高荣正;林大野
    CN101673619B发明授权2012-10-03柱状电容器、堆叠型同轴柱状电容器及其制造方法基本电气元件吴小利;许丹
    CN102394243A发明公布2012-03-28自对准闪存中的浮栅结构及其制造方法基本电气元件张雄
    CN103363218A发明公布2013-10-23一种连接远程电浆系统与反应腔体的清洁气体管道工程元件或部件;为产生和保持机器或设备的有效运行的一般措施;一般绝热王喆;张杰;赵洪涛;马东;沈瑜俊;吴奇昆;孙亭
    CN100468680C发明授权2009-03-11监测氮化钛阻挡层/黏着层成份状态的方法基本电气元件周炜;张炳一
    CN101556931A发明公布2009-10-14晶舟基本电气元件周维文;颜明辉
    CN101150041B发明授权2011-03-23一种定点沉积介质颗粒的方法基本电气元件孙震海;韩瑞津;郭国超
    CN102412120A发明公布2012-04-11设备报警时的晶圆处理方法及晶圆处理的远程控制方法陈洪雷;邵尔剑;邵军;杨阳
    CN102013427A发明公布2011-04-13雪崩击穿二极管结构及制造方法基本电气元件何军;肖军
    CN103066077A发明公布2013-04-24HIMOS FLASH存储单元结构及其制造方法基本电气元件张博
    CN101800212B发明授权2013-09-25半导体器件栅氧化层完整性的测试结构基本电气元件高超
    CN101661528A发明公布2010-03-03MIM电容模型的提取方法计算;推算;计数路向党;许丹
    CN101872783A发明公布2010-10-27垂直超结双扩散金属氧化物半导体器件及制造方法基本电气元件刘正超
    CN1270362C发明授权2006-08-16形成自行对准金属硅化物的方法基本电气元件高荣正
    CN1271717C发明授权2006-08-23沟槽式屏蔽只读存储器存储单元的构造及其制造方法基本电气元件张有志;叶双凤
    简称
    宏力半导体
    联系电话
    021-50808888
    联系人
    未提供
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    未提供
    电子邮件
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    201203
    公司地址
    上海市浦东新区张江高科技园区